Применение гальваномагнитных явлений в полупроводниках для создания приборов и устройств СВЧ диапазона. Антропов В.А - 12 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ПГУ | Пенза

Составители: 

Рубрика: 

12
Поскольку электрическая составляющая силы Лоренца не зависит
от скорости электрона, то ее действие на все электроны будет одинаково.
Магнитная же составляющая силы Лоренца будет тем больше, чем больше
скорость электрона. Это означает, что траектории движения быстрых элек-
тронов будут закручиваться магнитным полем гораздо сильнее, чем траек-
тории медленных электронов. Что касается медленных электронов, то доми-
нирующее влияние на них будет оказывать сила действия холловского поля.
Поскольку она направлена в противоположную сторону, по сравнению с
магнитной составляющей силы Лоренца, то она будет отклонять медленные
электроны в сторону, противоположную отклонению быстрых электронов.
Поэтому сила действия холловского поля тоже будет закручивать
медленные электроны, но в направлении, противоположном быстрым элек-
тронам. Чем больше сила действия холловского поля превышает силу дей-
ствия магнитного поля, тем сильнее будут закручиваться траектории мед-
ленных электронов.
Допустим, что в полупроводнике присутствуют носители заряда
обоих знаков (электроны и дырки), и что энергия носителей заряда пропор-
циональна квадрату их импульса (приближение сферических и изоэнергети-
ческих поверхностей), и что ток в направлении
y
равен нулю (скорость по-
верхностной рекомбинации на гранях образца, перпендикулярных оси
y
,
равна нулю).
Рассуждения, проводимые в этом случае, так же как и в эффекте
Холла, опираются на кинетическое уравнение для стационарного состояния
[2] . Точно так же отыскивается векторная функция
χ
,описывающая от-
клонение функции распределения от её вида, соответствующего термодина-
мическому равновесию. Поэтому мы сразу воспользуемся соотношениями
(1.3) и (1.4). Чтобы не загромождать расчёт аналогичными рассуждениями,
рассмотрим электронную составляющую магнитосопротивления, (для ды-
рочной составляющей запишем лишь конечный результат). 
          Поскольку электрическая составляющая силы Лоренца не зависит
от скорости электрона, то ее действие на все электроны будет одинаково.
Магнитная же составляющая силы Лоренца будет тем больше, чем больше
скорость электрона. Это означает, что траектории движения быстрых элек-
тронов будут закручиваться магнитным полем гораздо сильнее, чем траек-
тории медленных электронов. Что касается медленных электронов, то доми-
нирующее влияние на них будет оказывать сила действия холловского поля.
Поскольку она направлена в противоположную сторону, по сравнению с
магнитной составляющей силы Лоренца, то она будет отклонять медленные
электроны в сторону, противоположную отклонению быстрых электронов.
       Поэтому сила действия холловского поля тоже будет закручивать
медленные электроны, но в направлении, противоположном быстрым элек-
тронам. Чем больше сила действия холловского поля превышает силу дей-
ствия магнитного поля, тем сильнее будут закручиваться траектории мед-
ленных электронов.
       Допустим, что в полупроводнике присутствуют носители заряда
обоих знаков (электроны и дырки), и что энергия носителей заряда пропор-
циональна квадрату их импульса (приближение сферических и изоэнергети-
ческих поверхностей), и что ток в направлении y равен нулю (скорость по-
верхностной рекомбинации на гранях образца, перпендикулярных оси y ,
равна нулю).
       Рассуждения, проводимые в этом случае, так же как и в эффекте
Холла, опираются на кинетическое уравнение для стационарного состояния
[2] . Точно так же отыскивается векторная функция χ ,описывающая от-
клонение функции распределения от её вида, соответствующего термодина-
мическому равновесию. Поэтому мы сразу воспользуемся соотношениями
(1.3) и (1.4). Чтобы не загромождать расчёт аналогичными рассуждениями,
рассмотрим электронную составляющую магнитосопротивления, (для ды-
рочной составляющей запишем лишь конечный результат).


                                                                          12

Страницы