Применение гальваномагнитных явлений в полупроводниках для создания приборов и устройств СВЧ диапазона. Антропов В.А - 37 стр.

арсенида индия используется электроискровой станок, который в случае ин-
терметаллических соединений является предпочтительнее дисковых пил.
Способ резки выбирается так, чтобы не изменялись параметры полупровод-
никовых материалов за счёт очень сильного перегрева кристаллов.

       Пластинка, разрезанная тем или иным способом, обычно получается
толщиной не меньше чем 0,2÷0,3 мм.

       Окончательная обработка и доводка пластин до нужных размеров
производится шлифованием на шлифовальных порошках разных номеров.
Любая грубая обработка поверхности, такая как резка, шлифовка и механи-
ческая полировка, повреждает поверхностный слой образца. В одной из ра-
бот, например, Т.М.Buck [12], приводится детальный обзор поверхностных
повреждений. Показано, что для процессов шлифования глубина поврежде-
ния зависит от следующих факторов, связанных с абразивом и шлифуемым
материалом: размера, формы, твёрдости и свободы перемещения абразив-
ных частиц, ориентации поверхности и механических свойств материала.

       Для каждого из этих факторов имеется свой характеристический ми-
нимум повреждённого слоя. Повреждённый слой состоит из тонкого, очень
фрагментированного слоя на поверхности и более глубокого слоя пластиче-
ски деформированного материала, который присутствует из-за местного
разогрева. Если процессы шлифовки выполняются неосторожно, то местный
разогрев может быть излишне большим, в результате наклёпанный слой по-
лучается толще, чем характеристический минимум. В работе авторов
Н.С.Gatos, M.C. Lavine, E.P.Warekoi [13] была измерена глубина повре-
ждённого слоя на некоторых соединениях. Авторы нашли, что глубина по-
вреждения с увеличением твёрдости линейно уменьшается. Разница в глу-
бине повреждения на поверхностях (111) и (111 ) приписывается искажённой
тетраэдрической структуре на поверхностях (111).




                                                                        37