Применение гальваномагнитных явлений в полупроводниках для создания приборов и устройств СВЧ диапазона. Антропов В.А - 38 стр.

       Для устранения поверхностных дефектов производится завершаю-
щая операция- травление. В случае датчиков Холла и датчиков Гаусса при
травлении стояли следующие задачи:

           1. удаление поврежденного слоя после шлифовки и получение об-
           разца заданной толщины;
           2. получение чистой поверхности.


       При устранении поверхностных дефектов должно соблюдаться един-
ственное условие: материал должен удаляться равномерно по всей поверх-
ности, не повреждая её.
       Известно шесть основных процессов травления.

       1. Химический. Полупроводниковый материал принимает участие в
химической реакции. Сюда относятся, очевидно, только те реакции, которые
не образуют продуктов на поверхности. В большинстве случаев химические
травители представляют собой водные растворы, но к этой категории отно-
сятся и неводные растворы, расплавленные соли, газы.

       2. Электролитический. В этом случае необходим электрический ток
для растворения материала в электролите.

       3. Катодная бомбардировка. Материал является катодом в тлеющем
разряде. Атомы на поверхности материала выбиваются бомбардировкой
ионами.

       4. Тепловой. Полупроводниковый материал нагревается до высокой
температуры в вакууме или в атмосфере инертного газа. Травление совер-
шается путём испарения. Использование теплового травления является
спорным.

       5. Травление расплавленными металлами. В качестве травителей ис-
пользуются расплавленные металлы, т.к. они растворяют определённые ма-
териалы.


                                                                     38