Применение гальваномагнитных явлений в полупроводниках для создания приборов и устройств СВЧ диапазона. Антропов В.А - 40 стр.

разце откладывается InF 2 . Этого не наблюдается в смеси азотной и винной
кислот. При травлении желательно употреблять самые чистые растворы, хо-
тя нет специальных работ, посвящённых влиянию чистоты составных частей
травителя на скорость травления и способ разрушения. В одной из работ Ga-
tos сообщал, что двойные дистилляты кислот, применяемые при травлении
арсенида галлия, уменьшают склонность к термической конверсии этого ма-
териала. Это происходит из-за удаления меди, присутствовавшей до этого в
этих кислотах.

       Факторами, влияющими на способ и скорость травления, являются
состав, температура данного травителя и в некоторых случаях тип проводи-
мости и чистота полупроводникового материала. Любое существенное из-
менение в составе травителя в конце концов скажется на изменении скоро-
сти травления, а при больших изменениях состава травитель перестаёт рас-
творять или образует плёнку на поверхности образца. Некоторые авторы ,
такие как W. Bardslei и R.L.Bell [14], сообщали, что скорость травления ан-
тимонида индия в травителе СР- 4 (HNO 3 : HF: CH 3 COOH) уменьшается с
увеличением количества уксусной кислоты и поверхность образца становит-
ся неполированной. Увеличение температуры травителя увеличивает ско-
рость травления, если стабильность комплексов при этом не уменьшается.

       Поскольку для изготовления датчиков Холла применяются разные
полупроводники и травители для них разные, то рассмотрим травление каж-
дого из них отдельно.

       1. Антимонид индия.

       При травлении InSb обязательно присутствие окисляющего агента.
Основной частью всех травителей является окислитель. Из многочисленных
окисляющих агентов мы использовали HNO 3 и H 2 O 2 .

       Трёхвалентная сурьма, которая может находиться в сильнокислых
растворах, легко гидролизуется с образованием ионов антимонида, которые


                                                                         40