Применение гальваномагнитных явлений в полупроводниках для создания приборов и устройств СВЧ диапазона. Антропов В.А - 56 стр.

лучения плёнок толщиной ~ 5 мкм порошок перед напылением развешивал-
ся на аналитических весах типа АДВ – 200 по 50 мг для каждого напыления.

       Перед напылением порошок InSb засыпался в воронку, нижнее от-
верстие которой закрыто заслонкой до того момента, когда испаритель
нагреется до температуры, при которой производится испарение
(1050 – 1100) 0 С.

       Затем якорем 6 заслонка открывается и порошок просыпается в разо-
гретый испаритель. Испаритель предварительно подвергается отжигу при
температуре выше, чем температура испарения InSb, чтобы очистить по-
верхность испарителя от примесей. Контроль температуры испарителя осу-
ществляется с помощью платина – платинородиевой термопары, дающей
высокую точность в требуемом интервале температур.

       Плёнки антимонида индия напылялись через слюдяной трафарет на
слюдяную подложку, прогреваемую предварительно печкой в течение 10
мин при температуре (355 -360) 0 С. Печка отжигалась при температуре 5500
С и градуировалась хромель – алюмелевой термопарой в интервале темпера-
тур (100 – 500) 0 С.

       Обычно при отжиге тонких плёнок непосредственно после нанесения
их в вакууме происходят изменения в структуре этих плёнок за счёт диффу-
зии In и Sb; размеры зёрен увеличиваются, получается укрупнение кристал-
литов плёнки, связь между ними усиливается и плёнка получается более
плотная и компактная, а её удельное электрическое сопротивление умень-
шается. Кроме того, отожжённые плёнки отличаются большой твёрдостью,
механической прочностью, а также стабильностью параметров при работе
на воздухе. Наилучшие результаты получены термообработкой плёнки при
температуре 300 0 С в течение 1,5 часов.

       В некоторых случаях проводилась рекристаллизация плёнки при
температуре 525 0 С.


                                                                       56