ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
21
Вопросы
1. Объясните эффект каналирования . Какие меры предпринимаются для
подавления эффекта каналирования ?
2. В чем причина появления экспоненциального “хвоста” при имплантации
разориентированных кристаллических мишеней ?
3. Может ли координата точки сопряжения экспоненциального “хвоста” быть
меньше координаты максимума концентрационного профиля?
4. Вывести формулы для расчета глубин залегания p-n переходов в
приближении двух параметров (усеченная гауссиана) с учетом эффекта
каналирования при нормировке на дозу.
5. В чем физическая причина возникновения ассиметрии профилей ионно-
имплантированных примесей ?
6. Зависит ли модальный пробег от эффекта каналирования в
разориентированных монокристаллических мишенях ?
7. Вывести формулы для расчета глубин залегания p-n переходов в
приближении двух параметров (неусеченная гауссиана) с учетом эффекта
каналирования при нормировке на дозу.
8. Дайте определение критического угла каналирования . От каких параметров
он зависит?
9. Какие распределения , аппроксимирующие асимметричные профили ионно-
имплантированных примесей , Вы знаете ?
10. Что такое коэффициент затухания ?
11. При каких условиях в процессе имплантации примесью противоположного
типа по отношению к исходной примеси в подложке не формируются p-n
переходы ?
21
В опросы
1. О бъясните эф ф ект каналирования. К акие м еры пред приним аю тся д ля
под авления эф ф екта каналирования?
2. В чем причина появления экспоненциального “х воста” при им плантации
разориентированны х кристаллических м иш еней?
3. М ож етли коорд ината точки сопряж ения экспоненциального “х воста” бы ть
м еньш екоорд инаты м аксим ум а концентрационного проф иля?
4. В ы вести ф орм улы д ля расчета глубин залегания p-n перех од ов в
приближ ении д вух парам етров (усеченная гауссиана) с учетом эф ф екта
каналирования при норм ировкена д озу.
5. В чем ф изическая причина возникновения ассим етрии проф илей ионно-
имплантированны х прим есей?
6. Зависит ли м од альны й пробег от эф ф екта каналирования в
разориентированны х монокристаллических м иш енях ?
7. В ы вести ф орм улы д ля расчета глубин залегания p-n перех од ов в
приближ ении д вух парам етров (неусеченная гауссиана) с учетом эф ф екта
каналирования при норм ировкена д озу.
8. Д айте опред еление критического угла каналирования. О ткаких парам етров
он зависит?
9. К акие распред еления, аппроксим ирую щ ие асим м етричны е проф или ионно-
им плантированны х прим есей, В ы знаете?
10. Ч то такоекоэф ф ициентзатух ания?
11. При каких условиях в процессе им плантации примесью противополож ного
типа по отнош ению кисх од ной примеси в под лож ке не ф орм ирую тся p-n
перех од ы ?
