Распределения внедренных примесей с учетом эффекта каналирования. Асессоров В.В - 20 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ВГУ | Воронеж

Составители: 

Рубрика: 

20
2. В приближении четырех параметров рассчитать глубины залегания p-n
переходов при имплантации ионами фосфора с энергией 40 кэВ и дозой 10
мкКл/см
2
разориентированной кремниевой подложки p-типа с удельным
сопротивлением 1 Ом⋅см :
а) без учета каналирования ;
б) с учетом каналирования;
в) с учетом каналирования и нормировки на дозу имплантации.
Дать сравнительную оценку степени влияния на глубину залегания p-n
переходов эффекта каналирования и нормировки на дозу имплантации.
3. Кремниевая пластина, разориентированная относительно пучка ионов,
легируется бором . Поставить численные эксперименты по исследованию
зависимости координаты точки сопряжения экспоненциального хвоста с
распределением Пирсон -4 от дозы и энергии имплантации в диапазонах :
- по энергии 10÷150 кэВ ;
- по дозе 10
13
÷
5·10
16
см
-2
.
4. Рассчитать и построить график зависимости координаты точки сопряжения
экспоненциального “хвоста” с распределением Пирсон -4 от дозы в
диапазоне 10
13
÷
5·10
16
см
-2
при имплантации кремниевой
разориентированной подложки ионами фосфора с энергией 40 кэВ .
5. В приближении четырех параметров с учетом эффекта каналирования и
нормировки на дозу имплантации рассчитать и построить
концентрационный профиль и глубины залегания p-n переходов при
имплантации разориентированной кремниевой подложки марки КЭФ4
ионами бора с энергией 90 кэВ и дозой 5 мкКл/см
2
.
6. При имплантации ориентированной под углом 15° относительно нормали к
поверхности кремниевой пластины ионами фосфора провести численные
эксперименты по исследованию зависимости нормирующего коэффициента :
а ) от дозы в диапазоне 10
13
÷
5·10
16
см
-2
при энергиях 20, 40, 80 и 120 кэВ ;
б) от энергии в диапазоне 10÷120 кэВ при дозах 10
13
, 10
14
, 10
15
и 10
16
см
-2
.
7. Провести численные эксперименты по исследованию зависимости
нормирующего коэффициента при легировании разориентированной
пластины кремния ионами бора :
а) от дозы имплантации в диапазоне 10
13
÷
5·10
16
см
-2
при энергиях 30, 60,
90 и 120 кэВ ;
б) от энергии имплантации в диапазоне 10÷120 кэВ при дозах 10
13
, 10
14
, 10
15
и 10
16
см
-2
. 
                                       20

2. В приближ ении четы рех парам етров рассчитать глубины залегания p-n
   перех од овпри им плантации ионам и ф осф ора сэнергией 40 кэВ и д озой 10
   м кК л/см 2 разориентированной крем ниевой под лож ки p-типа с уд ельны м
   сопротивлением 1 О м ⋅см :
    а) без учета каналирования;
    б) сучетом каналирования;
    в) сучетом каналирования и норм ировки на д озуим плантации.
        Д ать сравнительную оценку степени влияния на глубину залегания p-n
    перех од овэф ф екта каналирования и норм ировки на д озуим плантации.
3. К рем ниевая пластина, разориентированная относительно пучка ионов,
    легируется бором . Поставить численны е эксперим енты по исслед ованию
    зависим ости коорд инаты точки сопряж ения экспоненциального х воста с
    распред елением Пирсон-4 отд озы и энергии им плантации вд иапазонах :
    - по энергии 10÷150 кэВ ;
    - по д озе10 13 ÷ 5·1016 см -2.
4. Рассчитать и построить граф икзависим ости коорд инаты точки сопряж ения
    экспоненциального “х воста” с распред елением Пирсон-4 от д озы в
    д иапазоне 1013 ÷ 5·10 16       см -2      при им плантации крем ниевой
    разориентированной под лож ки ионам и ф осф ора сэнергией 40 кэВ .
5. В приближ ении четы рех парам етров с учетом эф ф екта каналирования и
    норм ировки      на    д озу им плантации рассчитать и построить
    концентрационны й проф иль и глубины залегания p-n перех од ов при
    им плантации разориентированной крем ниевой под лож ки м арки К Э Ф 4
    ионам и бора сэнергией 90 кэВ и д озой 5 м кК л/см 2 .
6. При имплантации ориентированной под углом 15° относительно норм али к
    поверх ности крем ниевой пластины ионам и ф осф ора провести численны е
    эксперим енты по исслед ованию зависим ости норм ирую щ его коэф ф ициента:
    а) отд озы вд иапазоне1013 ÷ 5·1016 см -2 приэнергиях 20, 40, 80 и 120 кэВ ;
    б) отэнергиивд иапазоне10÷120 кэВ при д озах 1013, 1014, 1015 и 1016 см -2.
7. Провести численны е эксперим енты по исслед ованию зависим ости
    норм ирую щ его коэф ф ициента при легировании разориентированной
    пластины крем ния ионам и бора:
    а) отд озы им плантации в д иапазоне 1013 ÷ 5·1016 см -2 при энергиях 30, 60,
       90 и120 кэВ ;
    б) отэнергии им плантации вд иапазоне10÷120 кэВ при д озах 1013 , 1014 , 1015
       и1016 см -2.

Страницы