ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
18
профиля ориентировочно принимается равной x
max
=R
P
+8(∆R
P
+λ). Затем на
этом профиле определяется максимальное значение концентрации N ΄ (R
m
) и
соответствующая глубина R
m
, с учетом которых из уравнения NR
NR
F
m
()
()
*
0
=
методом простых итераций находится концентрация N(R
0
) и точка R
0
.
Теперь в интервале x>R
0
концентрационный профиль пересчитывается с
учетом хвостового распределения по формуле
/
0
0
()()exp
xR
NxNR
λ
−
=⋅−
.
Если имплантация проводится в кремниевую подложку с
противоположным типом проводимости по отношению к типу легирующей
примеси, то возможно возникновение одного или двух p-n переходов. В данной
модели аналитическое выражение для глубин залегания p-n переходов
отсутствует, поэтому величины x
j1
и/или x
j2
определяются как точки , где
суммарная концентрация соответственно N
′
i
≤
0 и N
′
i+1
>0 и/или N
′
i
≥
0 и N
′
i+1
.
Тогда x
j1,2
=(x
i
+x
i+1
)/2 .
Задания
1. В приближении четырех параметров с учетом эффекта каналирования
рассчитать и построить концентрационный профиль и глубину залегания
p-n перехода в легированной фосфором монокристаллической подложке с
исходной концентрацией 1,8⋅10
14
см
-3
и разориентированной относительно
пучка внедряемых ионов бора с энергией 100 кэВ и дозой 10
14
см
-2
.
Решение задачи проведено в среде MathCAD2000 PRO (листинг 4).
Листинг 4
Исходная концентрация в кремнии
в см
-3
и доза имплантации в см
-2
N01.810
14
⋅:= Q10
14
:=
Нормальный пробег и страгглинг
ионов бора при 100 кэВ , см
Rp2.96410
5−
⋅:=∆Rp7.3310
6−
⋅:=
Параметры экспоненциального
“хвоста” (λ в см )
F6:=λ4.510
6−
⋅:=
Коэффициенты асимметрии и
затухания
γ 1.26−:=β3.28 γ
2
⋅ 0.39 γ⋅+ 3.08+:=
2
Константы распределения Пирсон-4
A10 β⋅ 12 γ
2
⋅− 18−:= b
0
4 β⋅ 3 γ
2
⋅−
(
)
−
A
:=
b
1
γ−β3+
()
⋅
A
:= b
2
2 β⋅ 3 γ
2
⋅− 6 −
(
)
−
A
:=
18
проф иля ориентировочно приним ается равной xmax =RP+8(∆RP+λ). Затем на
этом проф иле опред еляется м аксим альное значение концентрации N΄(Rm ) и
N (R m )
соответствую щ ая глубина Rm , с учетом которы х из уравнения N (R 0 ) =
F*
м етод ом просты х итераций нах од ится концентрация N(R0) и точка R0 .
Т еперь в интервале x>R0 концентрационны й проф иль пересчиты вается с
учетом х востового распред еления по ф орм уле
x − R0
N / ( x) = N ( R0 ) ⋅ exp − .
λ
Е сли им плантация провод ится в крем ниевую под лож ку с
противополож ны м типом провод им ости по отнош ению к типу легирую щ ей
примеси, то возм ож но возникновениеод ного или д вух p-n перех од ов. В д анной
м од ели аналитическое вы раж ение д ля глубин залегания p-n перех од ов
отсутствует, поэтому величины xj1 и/или xj2 опред еляю тся как точки, гд е
сум марная концентрация соответственно N′i ≤0 и N′i+1>0 и/или N′i ≥0 и N′i+1 .
Т огд а x j1,2=(xi +xi+1)/2 .
Зад ания
1. В приближ ении четы рех парам етров с учетом эф ф екта каналирования
рассчитать и построить концентрационны й проф иль и глубину залегания
p-n перех од а в легированной ф осф ором м онокристаллической под лож ке с
исх од ной концентрацией 1,8⋅1014 см -3 и разориентированной относительно
пучка внед ряем ы х ионовбора сэнергией 100 кэВ и д озой 1014 см -2 .
Реш ениезад ачипровед ено всред еMathCAD2000 PRO (листинг 4).
Л истинг 4
И сх од ная концентрация вкрем нии
всм -3 ид оза им плантации всм -2 N0 := 1.8 ⋅ 10
14
Q := 10
14
Н орм альны й пробег и страгглинг −5 −6
Rp := 2.964 ⋅ 10 ∆Rp := 7.33 ⋅ 10
ионовбора при 100 кэВ , см
Парам етры экспоненциального F := 6 λ := 4.5 ⋅ 10
−6
“х воста” (λ всм )
К оэф ф ициенты асим м етриии γ := −1.26
2
β := 3.28 ⋅ γ + 0.39 ⋅ γ + 3.08
затух ания 2
К онстанты распред еления Пирсон-4
A := 10 ⋅ β − 12 ⋅ γ − 18
2
b0 :=
(
− 4⋅ β − 3⋅ γ
2
)
A
b 1 :=
−γ ⋅ (β + 3)
b2 :=
(
− 2⋅ β − 3⋅ γ − 6
2
)
A A
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 16
- 17
- 18
- 19
- 20
- …
- следующая ›
- последняя »
