Распределения внедренных примесей с учетом эффекта каналирования. Асессоров В.В - 17 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ВГУ | Воронеж

Составители: 

Рубрика: 

17
7. При имплантации ионами мышьяка разориентированной кремниевой
подложки рассчитать и построить семейство зависимостей координат точек
сопряжения экспоненциального “хвоста” с сопряженной гауссианой от дозы
имплантации в диапазоне 10
13
÷
5·10
16
см
-2
при энергиях 20, 40, 60, 80 и 100
кэВ .
8. Провести численные эксперименты по исследованию зависимости
нормирующего коэффициента при легировании разориентированной
пластины кремния ионами фосфора :
а) от дозы в диапазоне 10
13
÷
5·10
16
см
-2
при энергиях 20, 40, 80 и 120 кэВ ;
б) от энергии в диапазоне 10÷120 кэВ при дозах 10
13
, 10
14
, 10
15
и 10
16
см
-2
.
9. Провести численные эксперименты по исследованию зависимости
нормирующего коэффициента при легировании разориентированной
пластины кремния ионами бора :
а) от дозы в диапазоне 10
13
÷
5·10
16
см
-2
при энергиях 10, 50, 110 и 150 кэВ ;
б) от энергии в диапазоне 10÷150 кэВ при дозах 10
13
, 10
14
, 10
15
и 10
16
см
-2
.
11. Провести численный эксперимент по исследованию зависимости
максимальной концентрации от дозы имплантации в диапазоне
10
13
÷
5·10
16
см
-2
при внедрении бора с энергиями 40, 80 и 120 кэВ в
разориентированную кремниевую подложку .
Распределение бора описывается сопряженной гауссианой с учетом
эффекта каналирования и нормировки на дозу имплантации.
5. Распределение ионно-имплантированных примесей
в однородной разориентированной мишени в приближении
четырех параметров с учетом эффекта каналирования
При облучении разориентированной кристаллической мишени
моноэнергетическим пучком ионов с первоначальной энергией E
распределение концентрации N(x) по глубине x в приближении четырех
параметров описывается распределением Пирсон -4.
В этом случае распределение ионно-имплантированных примесей с
учетом эффекта каналирования запишется в виде
0
/
0
00
(),0,
()
()exp,.
Nx xR
Nx
xR
NR xR
λ
≤≤
=
−

⋅−>


График распределения ионно-имплантированных примесей в
разориентированной кристаллической мишени в приближении четырех
параметров с учетом эффекта каналирования представлен на рис.1.
Поскольку в данном случае аналитическое представление координаты
точки сопряжения R
0
затруднительно, то для ее определения может быть
предложен следующий алгоритм . Сначала расc читывается исходный
концентрационный профиль {N΄
i
,x
i
}
n
(n - число точек) в приближении
Пирсон-4 без учета эффекта каналирования . Максимальная глубина x
max
                                              17

7. При имплантации ионам и м ы ш ьяка разориентированной крем ниевой
   под лож ки рассчитать и построить сем ейство зависимостей коорд инатточек
   сопряж ения экспоненциального “х воста” с сопряж енной гауссианой отд озы
   имплантации вд иапазоне1013 ÷ 5·1016 см -2 приэнергиях 20, 40, 60, 80 и 100
   кэВ .
8. Провести численны е эксперим енты             по исслед ованию зависим ости
   норм ирую щ его коэф ф ициента при легировании разориентированной
   пластины крем ния ионам иф осф ора:
     а) отд озы вд иапазоне1013 ÷ 5·1016 см -2 приэнергиях 20, 40, 80 и 120 кэВ ;
     б) отэнергии вд иапазоне10÷120 кэВ прид озах 1013, 1014, 1015 и 1016 см -2.
9. Провести численны е эксперим енты по исслед ованию зависим ости
   норм ирую щ его коэф ф ициента при легировании разориентированной
   пластины крем ния ионам ибора:
     а) отд озы вд иапазоне1013 ÷ 5·1016 см -2 приэнергиях 10, 50, 110 и 150 кэВ ;
     б) отэнергиивд иапазоне10÷150 кэВ при д озах 10 13, 1014 , 1015 и 1016 см -2.
11. Провести численны й эксперим ент по исслед ованию                 зависим ости
     м аксим альной концентрации от д озы           имплантации в д иапазоне
     10 ÷ 5·10 см при внед рении бора с энергиям и 40, 80 и 120 кэВ в
        13      16    -2

     разориентированную крем ниевую под лож ку.
          Распред еление бора описы вается сопряж енной гауссианой с учетом
    эф ф екта каналирования и норм ировки на д озуим плантации.

              5. Р аспр е де л е н и е и о н н о -и м пл ан ти р о ван н ы х пр и м е се й
           в о дн о р о дн о й р аз
                                  о р и е н ти р о ван н о й м и ше н и в пр и бл и же н и и
               че ты р е х пар ам е тр о в с уче то м эффе кта кан ал и р о ван и я

      При облучении разориентированной            кристаллической м иш ени
м оноэнергетическим     пучком ионов с первоначальной энергией E
распред еление концентрации N(x) по глубине x в приближ ении четы рех
парам етровописы вается распред елением Пирсон-4.
      В этом случае распред еление ионно-им плантированны х прим есей с
учетом эф ф екта каналирования запиш ется ввид е

                                         N ( x),        0 ≤ x ≤ R0 ,
                                   
                          N ( x) = 
                            /
                                                     x − R0 
                                    N ( R0 ) ⋅ exp  − λ  , x > R0 .
                                                           

      Граф ик распред еления      ионно-им плантированны х      прим есей в
разориентированной кристаллической м иш ени в приближ ении четы рех
парам етровсучетом эф ф екта каналирования пред ставлен на рис.1.
      Поскольку в д анном случае аналитическое пред ставление коорд инаты
точки сопряж ения R0 затруд нительно, то д ля ее опред еления м ож ет бы ть
пред лож ен след ую щ ий алгоритм . Сначала расcчиты вается исх од ны й
концентрационны й проф иль {N΄ i ,x i}n (n - число точек) в приближ ении
Пирсон-4 без учета эф ф екта каналирования. М аксим альная глубина xmax

Страницы