ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
15
Для определения координаты точки сопряжения может быть выведено
аналитическое выражение. Учитывая, что точка сопряжения находится за
точкой максимума распределения , запишем
2
2
2
1
12
*
0
2
2
1
0
2
1
12
()2
exp
2
2()
()
exp
2
()
2
exp
2
2()
mm
p
PP
m
p
m
PP
RRQ
R
RR
RR
F
R
RR
Q
Rp
RR
π
π
−
⋅−
∆
∆+∆
−
==
∆
−
⋅−
∆
∆+∆
,
откуда
*
10
2
1
2
0
*
ln2
2
)(
ln FRRR
R
RR
F
Pm
P
m
∆+=⇒
∆
−
=
. (14)
Если подложка легирована исходной примесью противоположного типа с
концентрацией N
ucx
, то возможно возникновение одного или двух p-n
переходов. Глубина залегания x
j1
первого p-n перехода, расположенного в
области от поверхности подложки до максимума концентрации, находится из
условия N ΄ (x
j1
)-N
ucx
=0, то есть
2
1
2
2
12
()
2
exp
2
2()
jm
ucx
P
PP
xR
Q
N
R
RRπ
−
⋅−=
∆
∆+∆
,
ucxPP
Pmj
NRR
Q
RRx
)(2
2
ln2
21
21
∆+∆
∆−=
π
. (15)
Нахождение глубины залегания второго p-n перехода, расположенного за
максимумом распределения, будет зависеть от того, больше или меньше
исходная концентрация концентрации ионно-имплантированной примеси N ′ (R
0
)
в точке сопряжения экспоненциального “хвоста”.
Рис. 7. Распределение ионно-имплантированных примесей
в разориентированной кристаллической мишени
(сопряженная гауссиана) с учетом эффекта каналирования .
15 Д ля опред еления коорд инаты точки сопряж ения м ож ет бы ть вы вед ено аналитическое вы раж ение. У читы вая, что точка сопряж ения нах од ится за точкой максим ум а распред еления, запиш ем 2Q (Rm − Rm )2 ⋅ exp − 2 ∆ R p1 2 2π ( ∆ R P 1 + ∆ R P 2 ) = exp (R0 − Rm ) 2 = , * F 2Q (R0 − Rm )2 2 ∆ R p1 2 ⋅ exp − 2π ( ∆ R P 1 + ∆ R P 2 ) 2 ∆ R p 12 откуд а ( R0 − R m ) 2 ln F * = ⇒ R0 = R m + ∆ R P1 2 ln F * . (14) 2∆ R P1 2 Е сли под лож ка легирована исх од ной прим есью противополож ного типа с концентрацией Nucx , то возм ож но возникновение од ного или д вух p-n перех од ов. Глубина залегания xj1 первого p-n перех од а, располож енного в области отповерх ности под лож ки д о м аксим ум а концентрации, нах од ится из условия N΄(xj1)-Nucx=0, то есть 2Q ( x j1 − Rm )2 ⋅ exp − = N ucx , 2π ( ∆RP1 + ∆ RP 2 ) 2∆ RP 2 2 2Q x j1 = R m − ∆ R P 2 2 ln . (15) 2π ( ∆R P1 + ∆R P 2 ) N ucx Н ах ож д ение глубины залегания второго p-n перех од а, располож енного за м аксим ум ом распред еления, буд ет зависеть от того, больш е или м еньш е исх од ная концентрация концентрации ионно-им плантированной примеси N′(R0 ) вточкесопряж ения экспоненциального “х воста”. Рис. 7. Распред елениеионно-им плантированны х примесей вразориентированной кристаллической м иш ени (сопряж енная гауссиана) сучетом эф ф екта каналирования.
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 13
- 14
- 15
- 16
- 17
- …
- следующая ›
- последняя »