Распределения внедренных примесей с учетом эффекта каналирования. Асессоров В.В - 15 стр.

UptoLike

Рубрика: 

15
Для определения координаты точки сопряжения может быть выведено
аналитическое выражение. Учитывая, что точка сопряжения находится за
точкой максимума распределения , запишем
2
2
2
1
12
*
0
2
2
1
0
2
1
12
()2
exp
2
2()
()
exp
2
()
2
exp
2
2()
mm
p
PP
m
p
m
PP
RRQ
R
RR
RR
F
R
RR
Q
Rp
RR
π
π

⋅−



+∆

==




⋅−

+∆

,
откуда
*
10
2
1
2
0
*
ln2
2
)(
ln FRRR
R
RR
F
Pm
P
m
+=⇒
=
. (14)
Если подложка легирована исходной примесью противоположного типа с
концентрацией N
ucx
, то возможно возникновение одного или двух p-n
переходов. Глубина залегания x
j1
первого p-n перехода, расположенного в
области от поверхности подложки до максимума концентрации, находится из
условия N ΄ (x
j1
)-N
ucx
=0, то есть
2
1
2
2
12
()
2
exp
2
2()
jm
ucx
P
PP
xR
Q
N
R
RRπ

−=


+∆

,
ucxPP
Pmj
NRR
Q
RRx
)(2
2
ln2
21
21
+∆
−=
π
. (15)
Нахождение глубины залегания второго p-n перехода, расположенного за
максимумом распределения, будет зависеть от того, больше или меньше
исходная концентрация концентрации ионно-имплантированной примеси N (R
0
)
в точке сопряжения экспоненциального хвоста”.
Рис. 7. Распределение ионно-имплантированных примесей
в разориентированной кристаллической мишени
(сопряженная гауссиана) с учетом эффекта каналирования .
                                                             15

     Д ля опред еления коорд инаты точки сопряж ения м ож ет бы ть вы вед ено
аналитическое вы раж ение. У читы вая, что точка сопряж ения нах од ится за
точкой максим ум а распред еления, запиш ем
                              2Q                       (Rm − Rm )2            
                                                ⋅ exp  −                      
                                                         2 ∆ R p1 2
                       2π ( ∆ R P 1 + ∆ R P 2 )                                  = exp  (R0 − Rm )      
                                                                                                      2
                  =                                   
                                                                                                         ,
              *
          F
                               2Q                      (R0 − Rm )2                      2 ∆ R p1
                                                                                                    2
                                                                                                           
                                                ⋅ exp  −                      
                       2π ( ∆ R P 1 + ∆ R P 2 )          2 ∆ R p 12           

откуд а
                                          ( R0 − R m ) 2
                               ln F * =                    ⇒ R0 = R m + ∆ R P1 2 ln F * .                        (14)
                                            2∆ R P1
                                                      2




      Е сли под лож ка легирована исх од ной прим есью противополож ного типа с
концентрацией Nucx , то возм ож но возникновение од ного или д вух p-n
перех од ов. Глубина залегания xj1 первого p-n перех од а, располож енного в
области отповерх ности под лож ки д о м аксим ум а концентрации, нах од ится из
условия N΄(xj1)-Nucx=0, то есть
                                          2Q                 ( x j1 − Rm )2 
                                                      ⋅ exp  −               = N ucx ,
                                 2π ( ∆RP1 + ∆ RP 2 )           2∆ RP 2 2 
                                                            

                                                                        2Q
                               x j1 = R m − ∆ R P 2 2 ln                                    .                    (15)
                                                              2π ( ∆R P1 + ∆R P 2 ) N ucx


       Н ах ож д ение глубины залегания второго p-n перех од а, располож енного за
м аксим ум ом распред еления, буд ет зависеть от того, больш е или м еньш е
исх од ная концентрация концентрации ионно-им плантированной примеси N′(R0 )
вточкесопряж ения экспоненциального “х воста”.




                      Рис. 7. Распред елениеионно-им плантированны х примесей
                            вразориентированной кристаллической м иш ени
                      (сопряж енная гауссиана) сучетом эф ф екта каналирования.