Распределения внедренных примесей с учетом эффекта каналирования. Асессоров В.В - 14 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ВГУ | Воронеж

Составители: 

Рубрика: 

14
экспоненциального “хвоста” с усеченной гауссианой от дозы имплантации в
диапазоне 10
13
÷
5·10
16
см
-2
при энергиях 10, 20, 30, 40 и 50 кэВ .
7. Провести численные эксперименты по исследованию зависимости
нормирующего коэффициента при имплантации кремния ионами бора :
а) от дозы в диапазоне 10
13
÷
5·10
16
см
-2
при энергиях от 10 до 40 кэВ ;
б) от энергии имплантации в диапазоне 5
÷
40 кэВ при дозах имплантации от
10
13
до 5·10
16
см
-2
.
8. Провести численные эксперименты по исследованию зависимости
нормирующего коэффициента при имплантации кремния ионами мышьяка :
а) от дозы в диапазоне 10
13
÷
5·10
16
см
-2
при энергиях от 10 до 50 кэВ ;
б) от энергии имплантации в диапазоне 5
÷
50 кэВ при дозах имплантации от
10
13
до 5·10
16
см
-2
.
9. Провести численные эксперименты по исследованию зависимости
максимальной концентрации от энергии имплантации в диапазоне 5
÷
50 кэВ
при внедрении ионов фосфора с дозой 3 мкКл/см
2
в разориентированную
кремниевую подложку с собственной проводимостью .
Расчёты проводить с учетом эффекта каналирования и нормировки на
дозу имплантации.
10. При имплантации ионами мышьяка собственной подложки кремния
рассчитать и построить семейство зависимостей координаты точки
сопряжения экспоненциального хвоста с неусеченной гауссианой от дозы
имплантации в диапазоне 10
13
÷5⋅10
16
см
-2
при энергиях 80, 120 и 150 кэВ .
4. Распределение ионно-имплантированных примесей
в однородной разориентированной мишени в приближении
трех параметров с учетом эффекта каналирования
При облучении разориентированной кристаллической мишени
моноэнергетическим пучком ионов с первоначальной энергией E
распределение концентрации N(x) по глубине x в приближении трех параметров
описывается сопряженной гауссианой .
В этом случае распределение ионно-имплантированных примесей с
учетом эффекта каналирования запишется в виде
2
2
2
12
2
/
0
2
1
12
2
00
0
2
1
12
()2
exp,0,
2
2()
()2
()exp,,
2
2()
()2
expexp,.
2
2()
m
m
P
PP
m
m
P
PP
m
P
PP
xRQ
xR
R
RR
xRQ
Nx RxR
R
RR
RRxRQ
xR
R
RR
π
π
λ
π

−
⋅−≤≤

∆
∆+∆


−
=⋅−≤≤

∆
∆+∆


−−

⋅−−≥


∆
∆+∆


(13)
График распределения ионно-имплантированных примесей в
разориентированной кристаллической мишени в приближении трех параметров
с учетом эффекта каналирования представлен на рис. 7. 
                                                     14

  экспоненциального “х воста” с усеченной гауссианой отд озы им плантации в
  д иапазоне1013 ÷ 5·1016 см -2 приэнергиях 10, 20, 30, 40 и 50 кэВ .
7. Провести численны е эксперименты             по исслед ованию зависим ости
  норм ирую щ его коэф ф ициента приим плантациикрем ния ионам и бора:
  а) отд озы вд иапазоне1013 ÷ 5·1016 см -2 при энергиях от10 д о 40 кэВ ;
  б) отэнергии им плантации в д иапазоне 5 ÷ 40 кэВ при д озах им плантации от
       1013 д о 5·1016 см -2 .
8. Провести численны е эксперименты             по исслед ованию зависим ости
  норм ирую щ его коэф ф ициента приим плантациикрем ния ионам и м ы ш ьяка:
    а) отд озы вд иапазоне1013 ÷ 5·1016 см -2 при энергиях от10 д о 50 кэВ ;
    б) отэнергии им плантации вд иапазоне5 ÷ 50 кэВ при д озах им плантации от
       1013 д о 5·1016 см -2 .
9. Провести численны е эксперименты             по исслед ованию зависим ости
  м аксим альной концентрации отэнергии им плантации в д иапазоне 5 ÷ 50 кэВ
  при внед рении ионов ф осф ора с д озой 3 м кК л/см 2 в разориентированную
  крем ниевую под лож куссобственной провод им остью .
       Расчёты провод ить с учетом эф ф екта каналирования и норм ировки на
     д озуим плантации.
10. При им плантации ионам и м ы ш ьяка собственной под лож ки крем ния
    рассчитать и построить сем ейство зависим остей коорд инаты точки
    сопряж ения экспоненциального х воста с неусеченной гауссианой от д озы
    им плантации вд иапазоне10 13÷5⋅1016 см -2 приэнергиях 80, 120 и 150 кэВ .


               4. Р аспр е де л е н и е и о н н о -и м пл ан ти р о ван н ы х пр и м е се й
            в о дн о р о дн о й р азо р и е н ти р о ван н о й м и ше н и в пр и бл и же н и и
                 тр е х пар ам е тр о в с уче то м эффе кта кан ал и р о ван и я

      При облучении разориентированной           кристаллической   м иш ени
м оноэнергетическим     пучком ионов с первоначальной энергией E
распред еление концентрации N(x) по глубинеx вприближ ении трех парам етров
описы вается сопряж енной гауссианой.
      В этом случае распред еление ионно-им плантированны х прим есей с
учетом эф ф екта каналирования запиш ется ввид е
                                 2Q                    ( x − Rm )2 
                                               ⋅ exp  −         2 ,
                                                                           0 ≤ x ≤ Rm ,
                           2π (∆RP1 + ∆RP 2 )          2∆RP 2 
                                                       ( x − Rm ) 2 
                                 2Q
       N / ( x) =                               ⋅ exp  −        2 
                                                                        , Rm ≤ x ≤ R0 ,            (13)
                           2π (∆RP1 + ∆RP 2 )          2∆RP1 
                                              ( R − Rm ) 2 
                          2Q                                         x − R0 
                                        ⋅ exp  − 0            exp  −         ,      x ≥ R0 .
                   2π ( ∆RP1 + ∆RP2 )             2 ∆RP1 
                                                           2
                                                                          λ 

     Граф ик распред еления       ионно-им плантированны х   прим есей    в
разориентированной кристаллической м иш ени в приближ ении трех парам етров
сучетом эф ф екта каналирования пред ставлен на рис. 7.

Страницы