Распределения внедренных примесей с учетом эффекта каналирования. Асессоров В.В - 13 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ВГУ | Воронеж

Составители: 

Рубрика: 

13
Рис. 6. Распределение ионно-имплантированных примесей
в разориентированной кристаллической мишени
(усеченная гауссиана) с учетом эффекта каналирования .
Задания
1. Рассчитать и построить в приближении двух параметров (усеченная
гауссиана) с учетом эффекта каналирования концентрационный профиль и
глубины залегания p-n переходов при внедрении ионов бора с энергией
50 кэВ и дозой 3 мкКл/см
2
в кремниевую подложку марки КЭФ7,5.
2. В приближении двух параметров (усеченная гауссиана) рассчитать глубины
залегания p-n переходов при внедрении ионов мышьяка с энергией 40 кэВ и
дозой 10 мкКл/см
2
в разориентированную кремниевую подложку р - типа с
удельной электропроводностью 0,1 Ом
-1
см
-1
:
а) без учета каналирования ;
б) с учетом каналирования;
в) с учетом каналирования и нормировки на дозу имплантации.
Дать сравнительную оценку степени влияния на глубину залегания p-n
перехода эффекта каналирования и нормировки на дозу имплантации.
3. Кремниевая подложка имплантируется ионами бора с энергией 40 кэВ .
Рассчитать и построить график зависимости координаты точки сопряжения
экспоненциального “хвоста” с усеченной гауссианой от дозы в диапазоне
10
13
÷
5·10
16
см
-2
.
4. Для кремниевой подложки , имплантируемой ионами бора, рассчитать и
построить семейство зависимостей координаты точки сопряжения
экспоненциального “хвоста” с усеченной гауссианой R
0
(Q,E) от дозы в
диапазоне 10
13
÷
5·10
16
см
-2
при энергиях 10, 30 и 40 кэВ .
5. Рассчитать и построить график зависимости координаты точки сопряжения
экспоненциального “хвоста” с усеченной гауссианой от дозы в диапазоне
10
13
÷
5·10
16
см
-2
при имплантации кремниевой подложки ионами фосфора с
энергией 30 кэВ .
6. При имплантации ионами мышьяка кремниевой подложки рассчитать и
построить семейство зависимостей координаты точки сопряжения
x
R
p
R
0
N
′
(R
0
)
N
′
(R
p
)
N
′(x)
                                         13



                  N′(x)
                 N′(Rp)


                 N′(R0)




                              Rp    R0                  x


             Рис. 6. Распред елениеионно-им плантированны х прим есей
                  вразориентированной кристаллической м иш ени
              (усеченная гауссиана) сучетом эф ф екта каналирования.

                                         Зад ания

1. Рассчитать и построить в приближ ении д вух парам етров (усеченная
   гауссиана) с учетом эф ф екта каналирования концентрационны й проф иль и
   глубины залегания p-n перех од ов при внед рении ионов бора с энергией
   50 кэВ и д озой 3 м кК л/см 2 вкрем ниевую под лож кум арки К Э Ф 7,5.
2. В приближ ении д вух парам етров (усеченная гауссиана) рассчитать глубины
   залегания p-n перех од ов при внед рении ионов м ы ш ьяка с энергией 40 кэВ и
   д озой 10 м кК л/см 2 в разориентированную крем ниевую под лож ку р-типа с
   уд ельной электропровод ностью 0,1 О м -1см -1 :
   а) без учета каналирования;
   б) сучетом каналирования;
   в) сучетом каналирования и норм ировки на д озуим плантации.
       Д ать сравнительную оценку степени влияния на глубину залегания p-n
   перех од а эф ф екта каналирования и норм ировкина д озуим плантации.
3. К рем ниевая под лож ка имплантируется ионам и бора с энергией 40 кэВ .
   Рассчитать и построить граф икзависим ости коорд инаты точки сопряж ения
   экспоненциального “х воста” с усеченной гауссианой от д озы в д иапазоне
   1013 ÷ 5·1016 см -2.
4. Д ля крем ниевой под лож ки, им плантируем ой ионам и бора, рассчитать и
   построить сем ейство зависим остей коорд инаты               точки сопряж ения
   экспоненциального “х воста” с усеченной гауссианой R0(Q,E) от д озы в
   д иапазоне1013 ÷ 5·1016 см -2 при энергиях 10, 30 и 40 кэВ .
5. Рассчитать и построить граф икзависим ости коорд инаты точки сопряж ения
   экспоненциального “х воста” с усеченной гауссианой от д озы в д иапазоне
   1013 ÷ 5·1016 см -2 при им плантации крем ниевой под лож ки ионам и ф осф ора с
   энергией 30 кэВ .
6. При имплантации ионам и м ы ш ьяка крем ниевой под лож ки рассчитать и
   построить сем ейство зависим остей коорд инаты               точки сопряж ения

Страницы