Распределения внедренных примесей с учетом эффекта каналирования. Асессоров В.В - 12 стр.

UptoLike

Рубрика: 

12
откуда
(
)
.ln2
2
ln
*
0
2
2
0
*
FRRR
R
RR
F
pp
p
p
+=⇒
= (9)
Если подложка легирована исходной примесью противоположного типа с
концентрацией N
исх
, то возможно возникновение одного или двух p-n
переходов. Глубина залегания x
j1
первого p-n перехода, расположенного в
области от поверхности подложки до максимума концентрации, находится из
условия N ΄ (x
j1
)-N
исх
=0, то есть
(
)
2
1
2
1
1exp,
22
2
2ln.
1
2
2
jp
p
p
исх
p
p
jpp
p
p исх
p
xR
R
R
R
Q
xRR
R
RerfN
R
π
π



+=




=−∆

+


(10)
Нахождение глубины залегания второго p-n перехода, расположенного за
максимумом распределения, будет зависеть от того, больше или меньше
исходная концентрация концентрации ионно-имплантированной примеси N (R
0
)
в точке сопряжения экспоненциального хвоста”.
Если N
исх
N(R
0
), то глубина залегания x
j2
второго p-n перехода
рассчитывается по формуле
исх
p
p
p
ppj
N
R
R
erfR
Q
RRx
+∆
+=
2
1
2
ln2
2
π
(11)
Если N
исх
<N(R
0
), то глубина залегания x ′′
j2
второго p-n перехода находится
из условия
(
)
2
0
20
2
1expexp,
22
2
p
pj
p
исх
p
p
RR
RxR
RerfN
R
R
π
λ


′′


+=






то есть
(
)
2
0
2
20
exp
2
ln.
1
2
2
p
p
j
p
p
исх
p
RR
Q
R
xR
R
RerfN
R
λ
π


⋅−
∆

′′
=+

∆+



(12)
                                                              12

откуд а

                                         (R       − Rp   )2

                            ln F =                             ⇒ R0 = R p + ∆R p 2 ln F * .
                                    *         0
                                                                                                                           (9)
                                              2∆ R   2
                                                     p



    Е сли под лож ка легирована исх од ной прим есью противополож ного типа с
концентрацией Nи сх, то возм ож но возникновение од ного или д вух p-n
перех од ов. Глубина залегания xj1 первого p-n перех од а, располож енного в
области отповерх ности под лож ки д о м аксим ум а концентрации, нах од ится из
условия N΄(xj1)-Nисх=0, то есть

                                                                  x −R    (                     )       
                                                                                                     2
                         π                         Rp    
                           ∆R p  1 + erf                        
                                                           ⋅ exp −
                                                                    j1    p
                                                                                                         =N ,
                         2                               
                                                   2 ∆R p          2∆R p
                                                                         2
                                                                                                           исх
                                                                                                       
                                                                               Q                                          (10)
                        x j1 = R p − ∆R p 2 ln                                                               .
                                                             π                           Rp     
                                                               ∆ R p  1 + erf                   N исх
                                                             2                          2∆ R p 
                                                                     

     Н ах ож д ение глубины залегания второго p-n перех од а, располож енного за
м аксим ум ом распред еления, буд ет зависеть от того, больш е или м еньш е
исх од ная концентрация концентрации ионно-им плантированной примеси N′(R0 )
вточкесопряж ения экспоненциального “х воста”.
     Е сли Nи сх≥ N′(R0), то глубина залегания x′j2 второго p-n перех од а
рассчиты вается по ф орм уле
                                                                              Q
                    x ′j 2 = R p + ∆R p 2 ln                                                                              (11)
                                                         π                             Rp     
                                                           ∆ R p  1 + erf                     N
                                                                                                  исх
                                                         2                             2∆R p 
                                                                 

     Е сли Nи сх