ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
11
10
13
÷5⋅10
16
см
-2
при легировании кремния ионами мышьяка с энергиями из
диапазона 50÷150 кэВ .
8. В приближении двух параметров (неусеченная гауссиана) с учетом эффекта
каналирования рассчитать глубины залегания p-n переходов в
разориентированной кремниевой мишени n-типа с удельным сопротивлением
5 Ом⋅см при ее имплантации ионами бора с энергией 70 кэВ и дозой
20 мкКл/см
2
.
Оценить влияние эффекта каналирования на глубину залегания p-n
переходов.
3. Распределение ионно-имплантированных примесей
в однородной разориентированной мишени в приближении двух
параметров (усеченная гауссиана) с учетом эффекта каналирования
При облучении разориентированной кристаллической мишени
моноэнергетическим пучком ионов с первоначальной энергией Е
распределение концентрации N(x) по глубине х в приближении двух
параметров при условии 3Δ R
p
>R
p
описывается усеченной гауссианой .
В этом случае распределение ионно-имплантированной примеси с
учетом эффекта каналирования запишется в виде
()
()
()
2
;
0
2
2
0
0
0
2
exp,0
2
1
2
2
expexp,.
2
1
2
2
p
p
p
p
p
p
p
p
p
p
xR
Q
xR
R
R
Rerf
R
Nx
RR
xRQ
xR
R
R
Rerf
R
π
λ
π
−
⋅−≤≤
∆
∆+
∆
′
=
−
−
⋅−⋅−>
∆
∆+
∆
(8)
График распределения ионно-имплантированных примесей в
разориентированной кристаллической мишени в приближении двух параметров
( усеченная гауссиана) с учетом эффекта каналирования представлен на
рис. 6.
Для определения координаты точки сопряжения R
0
может быть выведено
аналитическое выражение. Учитывая, что для усеченной гауссианы R
m
≡R
p
,
запишем
(
)
()
()
2
2
2
0
*
2
2
0
2
exp
2
1
2
2
exp,
2
exp
2
1
2
2
pp
p
p
p
pp
p
p
p
p
p
p
RR
Q
R
R
Rerf
RRR
F
R
RR
Q
R
R
Rerf
R
π
π
−
⋅−
∆
∆+
∆−
==
∆
−
⋅−
∆
∆+
∆
11
1013÷5⋅1016 см -2 при легировании крем ния ионам и м ы ш ьяка с энергиям и из
д иапазона 50÷150 кэВ .
8. В приближ ении д вух парам етров (неусеченная гауссиана) с учетом эф ф екта
каналирования рассчитать глубины залегания p-n перех од ов в
разориентированной крем ниевой м иш ени n-типа с уд ельны м сопротивлением
5 О м ⋅см при ее имплантации ионам и бора с энергией 70 кэВ и д озой
20 м кК л/см 2.
О ценить влияние эф ф екта каналирования на глубину залегания p-n
перех од ов.
3. Р аспр е де л е н и е и о н н о -и м пл ан ти р о ван н ы х пр и м е се й
в о дн о р о дн о й р азо р и е н ти р о ван н о й м и ше н и в пр и бл и же н и и двух
пар ам е тр о в (усе че н н ая гаусси ан а) с уче то м эффе кта кан ал и р о ван и я
При облучении разориентированной кристаллической м иш ени
м оноэнергетическим пучком ионов с первоначальной энергией Е
распред еление концентрации N(x) по глубине х в приближ ении д вух
парам етровпри условии 3ΔRp>Rp описы вается усеченной гауссианой.
В этом случае распред еление ионно-им плантированной прим еси с
учетом эф ф екта каналирования запиш ется ввид е
(
x− R )
2
Q
⋅ exp − , 0 ≤ x ≤ R0 ;
p
π Rp 2∆R 2p
∆R p 1 + erf
2 2∆R p
N ′( x ) = (8)
(
R −R )
2
Q
⋅ exp −
0 p
⋅ exp − x − R0 , x > R0 .
π Rp 2 ∆R 2
λ
∆R p 1 + erf p
2 2∆R p
Граф ик распред еления ионно-им плантированны х прим есей в
разориентированной кристаллической м иш ени в приближ ении д вух парам етров
(усеченная гауссиана) с учетом эф ф екта каналирования пред ставлен на
рис. 6.
Д ля опред еления коорд инаты точки сопряж ения R0 м ож етбы ть вы вед ено
аналитическое вы раж ение. У читы вая, что д ля усеченной гауссианы Rm≡Rp,
запиш ем
(
R −R )
2
Q
⋅ exp −
p p
π Rp 2∆R p
2
∆R p 1 + erf
2∆R p R −R( )
2
2
F =
*
= exp 0 p
,
(
R −R ) 2∆R p
2 2
Q
⋅ exp −
0 p
π Rp 2∆R p
2
∆R p 1 + erf
2 2∆R p
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 9
- 10
- 11
- 12
- 13
- …
- следующая ›
- последняя »
