Распределения внедренных примесей с учетом эффекта каналирования. Асессоров В.В - 11 стр.

UptoLike

Рубрика: 

11
10
13
÷510
16
см
-2
при легировании кремния ионами мышьяка с энергиями из
диапазона 50÷150 кэВ .
8. В приближении двух параметров (неусеченная гауссиана) с учетом эффекта
каналирования рассчитать глубины залегания p-n переходов в
разориентированной кремниевой мишени n-типа с удельным сопротивлением
5 Омсм при ее имплантации ионами бора с энергией 70 кэВ и дозой
20 мкКл/см
2
.
Оценить влияние эффекта каналирования на глубину залегания p-n
переходов.
3. Распределение ионно-имплантированных примесей
в однородной разориентированной мишени в приближении двух
параметров (усеченная гауссиана) с учетом эффекта каналирования
При облучении разориентированной кристаллической мишени
моноэнергетическим пучком ионов с первоначальной энергией Е
распределение концентрации N(x) по глубине х в приближении двух
параметров при условии 3Δ R
p
>R
p
описывается усеченной гауссианой .
В этом случае распределение ионно-имплантированной примеси с
учетом эффекта каналирования запишется в виде
()
()
()
2
;
0
2
2
0
0
0
2
exp,0
2
1
2
2
expexp,.
2
1
2
2
p
p
p
p
p
p
p
p
p
p
xR
Q
xR
R
R
Rerf
R
Nx
RR
xRQ
xR
R
R
Rerf
R
π
λ
π


≤≤



+


=



>





∆+



(8)
График распределения ионно-имплантированных примесей в
разориентированной кристаллической мишени в приближении двух параметров
( усеченная гауссиана) с учетом эффекта каналирования представлен на
рис. 6.
Для определения координаты точки сопряжения R
0
может быть выведено
аналитическое выражение. Учитывая, что для усеченной гауссианы R
m
R
p
,
запишем
(
)
()
()
2
2
2
0
*
2
2
0
2
exp
2
1
2
2
exp,
2
exp
2
1
2
2
pp
p
p
p
pp
p
p
p
p
p
p
RR
Q
R
R
Rerf
RRR
F
R
RR
Q
R
R
Rerf
R
π
π


⋅−



∆+


∆−

==


⋅−



∆+



                                                        11

   1013÷5⋅1016 см -2 при легировании крем ния ионам и м ы ш ьяка с энергиям и из
   д иапазона 50÷150 кэВ .
8. В приближ ении д вух парам етров (неусеченная гауссиана) с учетом эф ф екта
   каналирования рассчитать         глубины    залегания p-n перех од ов в
   разориентированной крем ниевой м иш ени n-типа с уд ельны м сопротивлением
   5 О м ⋅см при ее имплантации ионам и бора с энергией 70 кэВ и д озой
   20 м кК л/см 2.
       О ценить влияние эф ф екта каналирования на глубину залегания p-n
   перех од ов.

            3. Р аспр е де л е н и е и о н н о -и м пл ан ти р о ван н ы х пр и м е се й
    в о дн о р о дн о й р азо р и е н ти р о ван н о й м и ше н и в пр и бл и же н и и двух
   пар ам е тр о в (усе че н н ая гаусси ан а) с уче то м эффе кта кан ал и р о ван и я

     При     облучении     разориентированной    кристаллической  м иш ени
м оноэнергетическим     пучком ионов с первоначальной энергией Е
распред еление концентрации N(x) по глубине х в приближ ении д вух
парам етровпри условии 3ΔRp>Rp описы вается усеченной гауссианой.
       В этом случае распред еление ионно-им плантированной прим еси с
учетом эф ф екта каналирования запиш ется ввид е

                
                                                          (
                                                         x− R       )       
                                                                         2

                                Q
                                                  ⋅ exp  −                  ,                    0 ≤ x ≤ R0 ;
                                                               p

                     π                 Rp               2∆R 2p           
                       ∆R p  1 + erf                                     
                    2                 2∆R p 
                             
     N ′( x ) =                                                                                                                   (8)
                                                          (
                                                         R −R           )       
                                                                             2
                
                 
                                 Q
                                                  ⋅ exp  −
                                                            0     p
                                                                                  ⋅ exp  − x − R0  ,           x > R0 .
                                                                                                 
                     π                 Rp                2 ∆R 2
                                                                                              λ 
                       ∆R p  1 + erf                         p
                                                                                 
                      2                 2∆R p 
                           

      Граф ик распред еления        ионно-им плантированны х    прим есей      в
разориентированной кристаллической м иш ени в приближ ении д вух парам етров
(усеченная гауссиана)     с учетом эф ф екта каналирования пред ставлен на
рис. 6.
      Д ля опред еления коорд инаты точки сопряж ения R0 м ож етбы ть вы вед ено
аналитическое вы раж ение. У читы вая, что д ля усеченной гауссианы Rm≡Rp,
запиш ем
                                                                 (
                                                                 R −R                 )       
                                                                                           2
                                         Q
                                                          ⋅ exp  −                            
                                                                    p    p

                              π                 Rp               2∆R p
                                                                        2
                                                                                               
                                ∆R p  1 + erf                                               
                                                2∆R p                                              R −R(          )       
                                                                                                                          2
                              2      
                      F =
                       *
                                                                                               = exp  0     p
                                                                                                                              ,
                                                                  (
                                                                 R −R                 )              2∆R p                 
                                                                                           2                2
                                         Q
                                                          ⋅ exp  −
                                                                    0    p
                                                                                                                            
                              π                  Rp              2∆R p
                                                                        2
                                                                                             
                                ∆R p 1 + erf                                              
                              2                 2∆R p 
                                     