Распределения внедренных примесей с учетом эффекта каналирования. Асессоров В.В - 16 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ВГУ | Воронеж

Составители: 

Рубрика: 

16
Если N
ucx
≥N′(R
0
), то глубина залегания второго p-n перехода
рассчитывается по формуле
ucxPP
Pmj
NRR
Q
RRx
)(2
2
ln2
21
12
∆+∆
∆+=
′
π
. (16)
Если N
ucx
<N′(R
0
), то глубина залегания
2j
x
′
′
второго p-n перехода
находится из условия
//
2
20
0
2
1
12
()2
expexp
2
2()
j
m
ucx
P
PP
xR
RRQ
N
R
RR
λ
π

−

−
⋅−⋅−=



∆
∆+∆


,
то есть
2
0
//
20
2
1
12
()
2
lnexp
2
2()
p
j
P
PPucx
RR
Q
xR
R
RRN
λ
π


−
=+⋅−




∆
∆+


. (17)
Задания
1. Рассчитать и построить в приближении трех параметров с учетом эффекта
каналирования концентрационный профиль и глубины залегания p-n
переходов при внедрении ионов бора с энергией 60 кэВ и дозой 5 мкКл/см
2
в кремниевую подложку марки КЭФ7,5.
2. В приближении трех параметров с учетом эффекта каналирования рассчитать
концентрационный профиль и глубины залегания p-n переходов при
имплантации кремниевой подложки p-типа с удельной электропроводностью
0,5 Ом
-1
⋅см
-1
ионами фосфора с энергией 100 кэВ и дозой 12 мкКл/см
2
.
3. С использованием сопряженного гауссовского распределения рассчитать
глубины залегания p-n переходов при внедрении ионов бора с энергией
100 кэВ и дозой 10
14
см
-2
в разориентированную подложку кремния марки
КЭФ7,5:
а) без учета каналирования ; б) с учетом каналирования .
Дать сравнительную оценку степени влияния на глубину залегания p-n
перехода эффекта каналирования и нормировки на дозу имплантации.
4. Рассчитать и построить график зависимости координаты точки сопряжения
экспоненциального “хвоста” с сопряженной гауссианой от дозы в диапазоне
10
13
5·10
16
см
-2
при имплантации кремниевой разориентированной
подложки ионами мышьяка с энергией 30 кэВ .
5. Для разориентированной кремниевой подложки , имплантируемой ионами
бора , рассчитать и построить семейство зависимостей координаты точки
сопряжения экспоненциального “хвоста” с сопряженной гауссианой от дозы
в диапазоне 10
13
5·10
16
см
-2
при энергиях 40, 60, 80, 100 и 120 кэВ .
6. При имплантации разориентированной кремниевой подложки ионами
фосфора с энергией 75 кэВ рассчитать и построить график зависимости
координаты точки сопряжения экспоненциального “хвоста” с сопряженной
гауссианой :
а) от дозы в диапазоне 10
13
5·10
16
см
-2
при энергии 80 кэВ ;
б) от энергии в диапазоне 10
÷
120 кэВ при дозе 10
14
см
-2
. 
                                                  16

     Е сли Nucx ≥N′(R0 ), то глубина залегания                              второго p-n          перех од а
рассчиты вается по ф орм уле
                                                                  2Q
                            x ′j 2 = R m + ∆R P1 2 ln                                 .               (16)
                                                        2π ( ∆R P1 + ∆R P 2 ) N ucx
       Е сли Nucx

Страницы