Распределения внедренных примесей с учетом эффекта каналирования. Асессоров В.В - 22 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ВГУ | Воронеж

Составители: 

Рубрика: 

22
Литература
1. Асессоров В . В . Математические модели распределений ионно-
имплантированных примесей / В .В . Асессоров. – Воронеж : Изд -во Воронеж .
ун - та , 2002. – 100 с.
2. Бубенников А . Н . Физико - технологическое проектирование биполярных
элементов кремниевых БИС / А .Н . Бубенников, А .Д . Садовников. – М .:
Радио и связь, 1991. – 288 с.
3. Дьяконов В . Mathcad 2000: Учебный курс / В . Дьяконов. – СПб .: Питер,
2001. – 592 с.
4. Ревелева М . А . Моделирование процессов распределения примеси в
полупроводниковых структурах / М .А . Ревелева. – М .: МГИЭТ (ТУ), 1996. –
196 с. 
                                         22




                                    Л итература

1. А сессоров В .В .      М атем атические м од ели распред елений ионно-
   им плантированны х прим есей / В .В . А сессоров. – В оронеж : И зд -во В оронеж .
   ун-та, 2002. – 100 с.
2. Бубенников А .Н . Ф изико-тех нологическое проектирование биполярны х
   элементов крем ниевы х БИ С / А .Н . Бубенников, А .Д . Сад овников. – М .:
   Рад ио и связь, 1991. – 288 с.
3. Д ьяконов В . Mathcad 2000: У чебны й курс / В . Д ьяконов. – СПб.: Питер,
   2001. – 592 с.
4. Ревелева М .А . М од елирование процессов распред еления прим еси в
   полупровод никовы х структурах / М .А . Ревелева. – М .: М ГИ Э Т (Т У ), 1996. –
   196 с.

Страницы