Распространение волн в диспергирующих средах. Аверина Л.И. - 15 стр.

UptoLike

Составители: 

15
δµεχ
µεχ
tg2
22
=
=−
n
n
Решение этой системы :
(
)
()
1tg1
2
1tg1
2
2
2
+=
++=
δ
µε
χ
δ
µε
n
В проводящей среде n и χ зависят от частоты , так как
δ
tg
зависит от частоты ,
т.е. проводящая среда является диспергирующей . При распространении пло-
ской волны произвольной формы происходит искажение её профиля, поскольку
фазовая скорость и коэффициент затухания различных частотных составляю -
щих не одинаковы .
Рассмотрим предельные случаи малых и больших потерь . Для слабозату-
хающей волны (
1
tg
<<
δ
)
т.е. дисперсии нет , а диссипация частотно-зависима.
Для волны , испытывающей сильное затухание (
1
tg
>>
δ
),
ω
µσ
πδ
µε
χ 2tg
2
==≈ n .
Величина потерь и фазовая скорость в проводящей среде определяются не
только электрофизическими параметрами, но и существенным образом зависят
от частоты . Скорость затухания электромагнитного поля по мере распростране-
ния волны в глубь проводника зависит от мнимой части волнового числа . Рас-
стояние, на котором амплитуда волны уменьшается в е раз, называют глубиной
проникновения (толщиной скин-слоя ):
πωµσ
=
πχ
λ
=
ωχ
==
22"
1
2
cc
k
d
В хороших проводниках
1
>>
n
χ
и, следовательно,
<<
d
. Например, для
меди на частоте 10 ГГц d=0.66 мкм. На расстоянии 5 мкм от поверхности ам-
плитуда поля уменьшается в 2000 раз. Таким образом , электромагнитное поле
проникает в металл на очень небольшую глубину. Это явление называют по-
верхностным или скин-эффектом .
Волновое сопротивление проводника
()
4
0
1
2
π
σ
µω
σ
ωµ
ε
µ
j
к
ejZ =+≈=
по модулю близко к 0, а сдвиг фаз между векторами
H
E
,
составляет 45
0
.
()
ωχ
δ
µεχµε ====
2
tg
,Constn
                                           15


                                     n 2 − χ 2 = µε
                                     2nχ = µε tgδ


                                n=
                                      µε
                                       2
                                         ( 1 + tg δ + 1)
                                                  2

Реш ениеэтой системы :
                                χ=
                                      µε
                                       2
                                          ( 1 + tg δ − 1)
                                                  2



В проводящ ей средеn и χ за висят отча стоты , та к ка к tgδ за висит отча стоты ,
т.е. проводящ а я среда является диспергирую щ ей. П ри распространении пло-
ской волны произвольной формы происходитиска ж ениееё профиля, поскольку
фа зова я скорость и коэффиц иент за туха ния различны х ча стотны х соста вляю -
щ их неодина ковы .
       Ра ссмотрим предельны еслуча и ма лы х и больш их потерь. Д ля сла боза ту-
ха ю щ ей волны ( tgδ << 1)
                                                tgδ
                     n = µε = Const, χ = µε         = χ (ω )
                                                 2
т.е. дисперсии нет, а диссипа ц ияча стотно-за висима .
       Д ляволны , испы ты ва ю щ ей сильноеза туха ние( tgδ >> 1 ),

                                        µε          µσ
                                n≈ χ =     tgδ = 2π    .
                                         2          ω
В еличина потерь и фа зова я скорость в проводящ ей среде определяю тся не
только электрофизическими па раметра ми, но и сущ ественны м обра зом за висят
отча стоты . Скоростьза туха нияэлектрома гнитного поля по мерераспростране-
ния волны вглубь проводника за висит от мнимой ча сти волнового числа . Ра с-
стояние, на котором а мплитуда волны уменьш а ется ве раз, на зы ва ю тглубиной
проникновения(т олщ и ной ск и н-слоя):

                                                       2
                                 1      c   λ     c
                           d=       =     =   =
                                 k " ωχ 2πχ     2πωµσ
В хорош их проводника х χ ≈ n >> 1 и, следова тельно, d << λ . Н а пример, для
меди на ча стоте10 ГГц d=0.66 мкм. Н а расстоянии 5 мкм от поверхности а м-
плитуда поля уменьш а ется в 2000 раз. Т а ким образом, электрома гнитноеполе
проника ет в мета лл на очень небольш ую глубину. Э то явлениена зы ва ю т п о-
верх ност ны м и ли ск и н-эффек т ом .
       В олновоесопротивлениепроводника
                                 µ      ωµ
                                           (1 + j ) = µω e j 4
                                                            π
                            Z0 =    ≈
                                εк      2σ            σ
по модулю близко к 0, а сдвиг фа з меж ду векторами E , H соста вляет450.