ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
30
становится столь сильной, что двухконтурная система перерождается вновь в
одноконтурную, у которой параллельно соединены емкости и индуктивности
обоих контуров. Ток стока транзистора в рабочей точке зависит от перемен-
ного напряжения на затворе U:
)U(fI
CT
=
Напряжение на затворе равно
dt
dI
MU
1L
=
Если мы теперь заменим стоковую цепь транзистора эквивалентным
генератором тока, то принципиальная схема приобретет довольно простой
вид (см. рис.2).
Рис.2
Запишем уравнения, используя первый закон Кирхгофа:
CB2C2R2LCB1C1R1LCT
IIII0 ;IIIII
−++=+++=
где:
∫∫∫
−===
======
dt)UU(
L
1
I ;dtU
L
1
I ;dtU
L
1
I
U
L
M
dt
dI
MU ;R/UI ;R/UI ;
dt
dU
CI ;
dt
dU
CI
21
CB
CB2
2
2L1
1
1L
1
1L
222R111R
2
22C
1
11C
Таким образом, мы имеем:
;dtU
L
1
dtU
L
1
R
U
dt
dU
C0
;dtU
L
1
dtU
L
1
R
U
dt
dU
C)U
L
M
(I
1
CB
2
2E2
22
2
2
CB
1
1E1
11
11
1
CT
∫∫
∫∫
−++=
−++=
где:
CB22ECB11E
L
1
L
1
L
1
;
L
1
L
1
L
1
+=+=
30
становится столь сильной, что двухконтурная система перерождается вновь в
одноконтурную, у которой параллельно соединены емкости и индуктивности
обоих контуров. Ток стока транзистора в рабочей точке зависит от перемен-
ного напряжения на затворе U: I CT =f ( U)
dI
Напряжение на затворе равно U =M L1
dt
Если мы теперь заменим стоковую цепь транзистора эквивалентным
генератором тока, то принципиальная схема приобретет довольно простой
вид (см. рис.2).
Рис.2
Запишем уравнения, используя первый закон Кирхгофа:
I CT =I L1 +I R1 +I C1 +I CB ; 0 =I L 2 +I R 2 +I C 2 −I CB
где:
dU 1 dU 2 dI M
I C1 =C1 ; I C 2 =C 2 ; I R1 =U 1 / R 1 ; I R 2 =U 2 / R 2 ; U =M L1 = U 1
dt dt dt L
1 1 1
I L1 = ∫U 1 dt; I L 2 = ∫U 2 dt; I CB = ∫( U1 −U 2 )dt
L1 L2 L CB
Таким образом, мы имеем:
M dU U 1 1
I CT ( U1 ) =C1 1 + 1 + ∫U1dt − ∫U 2dt;
L1 dt R1 L E1 L CB
dU 2 U 2 1 1
0 =C 2 + + ∫U 2dt − ∫U1dt;
dt R 2 LE2 L CB
где:
1 1 1 1 1 1
= + ; = +
L E1 L1 L CB L E 2 L 2 L CB
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 28
- 29
- 30
- 31
- 32
- …
- следующая ›
- последняя »
