ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
8
Рис. 1.
При этом принцип работы автогенератора не зависит от способа соеди-
нения элементов и определяется лишь удобством конструктивного выполне-
ния автогенератора. Заметим, что для схемы параллельного соединения ис-
точник питания должен обладать большим внутренним сопротивлением
(идеальный источник тока). С целью увеличения внутреннего сопротивления
источника питания для высоких частот последовательно с источником на-
пряжения включается дроссель. Обычно индуктивность дросселя рвется в
5-15раз больше, чем индуктивность колебательного контура. Разделительная
емкость выбирается в 10-20 раз больше емкости контура. Для схемы после-
довательного включения источника питания внутреннее сопротивление ис-
точника должно быть очень мало на частоте генерации. По этой причине вы-
ход источника напряжения шунтируется большой емкостью.
2.2. Условия самовозбуждения автогенератора.
Рассмотрим схему автогенератора с индуктивной обратной связью на
полевом транзисторе. Составим уравнения по первому закону Кирхгофа (см.
рис.2).
Рис.2
dt
к
dU
C
R
I ;
R
к
U
R
I ;dt
к
U
L
1
L
I где ,
C
I
R
I
L
I
ст
I
==
∫
=++=
8 Рис. 1. При этом принцип работы автогенератора не зависит от способа соеди- нения элементов и определяется лишь удобством конструктивного выполне- ния автогенератора. Заметим, что для схемы параллельного соединения ис- точник питания должен обладать большим внутренним сопротивлением (идеальный источник тока). С целью увеличения внутреннего сопротивления источника питания для высоких частот последовательно с источником на- пряжения включается дроссель. Обычно индуктивность дросселя рвется в 5-15раз больше, чем индуктивность колебательного контура. Разделительная емкость выбирается в 10-20 раз больше емкости контура. Для схемы после- довательного включения источника питания внутреннее сопротивление ис- точника должно быть очень мало на частоте генерации. По этой причине вы- ход источника напряжения шунтируется большой емкостью. 2.2. Условия самовозбуждения автогенератора. Рассмотрим схему автогенератора с индуктивной обратной связью на полевом транзисторе. Составим уравнения по первому закону Кирхгофа (см. рис.2). Рис.2 1 U dU к I ст =I L +I R +I C , где I L = ∫U к dt; I R = к ; I R =C L R dt
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 6
- 7
- 8
- 9
- 10
- …
- следующая ›
- последняя »