Сварочные процессы в электронном машиностроении. Бадьянов Б.Н - 33 стр.

UptoLike

Составители:

Рубрика:

представить производство полупроводниковых приборов в виде

последовательности сравнительно небольшого числа технологических

операций.

Основой прибора является пластина полупроводникового материала,

получаемая из слитка с последующей обработкой ее поверхности.

Рис. 23. Схема конструкции полупроводникового прибора:

1 – кристалл, 2 – внешний вывод, 3 – изолятор, 4 – основание корпуса, 5 – крышка корпуса,

6 – соединительные проводники

На пластине с помощью планарной технологии формируют сотни и даже

тысячи структур будущих приборов (в частности, интегральных микросхем) со

всеми соединительными проводниками и контактными площадками. Для этого

используют операции создания р-n-переходов (диффузию, ионную

имплантацию, эпитаксию), формирования рисунка заданной конфигурации

(фотолитографию, селективное травление и др.), нанесения защитных,

резистивных и токопроводящих пленок (методы вакуумного напыления и др.).

После соответствующего контроля приборов пластину разделяют на

отдельные кристаллы скрайбированием или резкой алмазными дисками.

Годные кристаллы поступают на сборку. Процесс сборки заключается в

закреплении кристалла на основании корпуса, присоединении выводов к

металлическим контактным площадкам на кристалле и к внешним выводам

корпуса, а также в герметизации прибора. Все эти операции являются

заключительными и требуют особой тщательности их выполнения.

1 6