Основы научных исследований. Экспериментальное исследование технических устройств. Бакеев Д.А - 15 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

КамчатГТУ | Петропавловск-Камчатский

Составители: 

Рубрика: 

а
Z
2
Z
3
Z
1
U
вых
U
вх
б
Рис. 3. Эквивалентная схема АГ
Найдем условия самовозбуждения емкостной трехточечной схемы, рассмат-
ривая ее как систему с замкнутой обратной связью. Если и – оператор-
ные изображения сигналов на входе и выходе при разомкнутой цепи обратной
связи (рис. 3), то передаточная функция
вх
U
вых
U
вх
вых
U
U
)р(К =
. Для того чтобы найти
функцию
)
р
(
К
, учтем, что напряжение на зажимах контура возникает за
счет тока , проходящего через параллельно-последовательно соединен-
ные элементы
Z
1
, Z
2
, Z
3
(
аб
U
вх
SUi =
вх
dU
di
S =
, где
S
– крутизна переходной характеристики
транзистора):
.
ZZZ
)ZZ(ZSU
U
321
321вх
аб
++
+
=
Поскольку
,
ZZZ
)ZZ(U
U
321
32аб
вых
++
+
=
то
.
ZZZ
ZSZ
U
U
)р(К
321
21
вх
вых
++
==
Учитывая, что конденсатор включен параллельно с эквивалентным со-
противлением контура , можно записать:
1
C
ое
R
.
)R
pC
1
(pC
R
Z
1
1
ое
1
+
=
15
                                                 а


                                                        Z3


                                            Z1

                       Uвх                              Z2        Uвых



                                                  б

                             Рис. 3. Эквивалентная схема АГ

   Найдем условия самовозбуждения емкостной трехточечной схемы, рассмат-
ривая ее как систему с замкнутой обратной связью. Если U вх и U вых – оператор-
ные изображения сигналов на входе и выходе при разомкнутой цепи обратной
                                                  U
связи (рис. 3), то передаточная функция К ( р ) = вых . Для того чтобы найти
                                                  U вх
функцию К ( р ) , учтем, что напряжение U аб на зажимах контура возникает за
счет тока i = SU вх , проходящего через параллельно-последовательно соединен-
                               di
ные элементы Z1, Z2, Z3 ( S =       , где S – крутизна переходной характеристики
                              dU вх
транзистора):

                                        SU вх Z1( Z 2 + Z 3 )
                               U аб =                         .
                                          Z1 + Z 2 + Z 3
     Поскольку

                                          U аб ( Z 2 + Z 3 )
                                U вых =                      ,
                                          Z1 + Z 2 + Z 3

то
                                        U вых   SZ1Z 2
                             К( р ) =         =             .
                                        U вх Z1 + Z 2 + Z 3

     Учитывая, что конденсатор C1 включен параллельно с эквивалентным со-
противлением контура Rое , можно записать:

                                              Rое
                                 Z1 =                 .
                                               1
                                         pC1(     +R)
                                              pC1


                                             15

Страницы