Физические основы микроэлектроники. Базир Г.И. - 27 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

УлГТУ | Ульяновск

Составители: 

Рубрика: 

26
Рис. 10. Антиструктурный дефект (А
В
, В
А
)
Примесные точечные дефекты подразделяются на примесь внедрения и
примесь замещения (рис. 11).
а) B
I
– примесь внедрения б) В
А
– примесь замещения
Рис. 11. Примесные точеч ные дефекты
В свою очередь примесные дефекты могут образовывать комплексы де-
фектов между собой, а также с собственными дефектами.
2. Линейный дефект или дислокация – это нарушение правильности струк-
тур ы вдоль линии (не обязательно прямой). Поперечные размеры линейного
дефекта не превышают одного или нескольких междуатомных расстояний, а
длина может достигать размеров кристалла.
Различают краевую и винтовую дислокации:
а) Краевая дислокация (рис. 12).

Страницы