Физические основы микроэлектроники. Базир Г.И. - 92 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

УлГТУ | Ульяновск

Составители: 

Рубрика: 

91
ладающие удельной проводимостью в интервале 10
6
-10
7
См·м
-1
, назывались
проводниками, обладающие удельной проводимостью в интервале 10
-8
-10
-16
См·м
-1
, назывались диэлектрики. В интервале от 10
-8
до 10
6
См·м
-1
располагался
класс веществ, которые назвали полупроводниками. К настоящему времени
данная классификация устарела, и наиболее правильно классифицировать ве-
щества по температурной зависимости проводимости.
1) Для металлов характерен рост сопротивления R c возрастанием темпе-
ратуры T:
).1()(
0
TRTR Δ⋅+⋅=
α
(269)
где R
0 – сопротивление при Т= 273 К, α – температурный коэффициент сопро-
тивления (α≈1/273). Для металлов:
.0f
dT
dR
=
α
2) Для полупроводников характерно уменьшение R c ростом T.
Эмпирическая связь между R и T, справедливая для некоторого интервала тем-
ператур, имеет вид:
),exp()(
0
T
B
RTR ⋅=
(270)
где R
0 и B – const для данного интервала температур, характерные для каждого
полупроводникового вещества.
Для удельной проводимости (2) имеет вид:
).exp()(
0
T
B
T −⋅=
σσ
(271)
Если умножить и числитель и знаменатель показателя экспоненты на k – посто-
янную Больцмана, то
),exp()(
0
Tk
E
T
a
⋅
−⋅=
σσ
(272)
где E
а
= k·B – характерная для каждого полупроводника величина, носящая на-
звание энергии активации.
По своему физическому смыслу E
а
различная для разных интервалов темпера-
тур.
R Металл R Полупроводник

Страницы