Моделирование неавтономных систем по временным рядам. Безручко Б.П - 18 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

СГУ им. Чернышевского | Саратов

Составители: 

Рубрика: 

том же значении U (реально, при несколько меньшем — имеет место гистере-
зис). Экспериментальное исследование сложной динамики этой системы про-
ведено в [15].
4.3. Контур с полупроводниковым диодом
Схема гармонически возбуждаемого ко-
лебательного контура, содержащего полупро-
водниковый диод с p-n переходом, представ-
лена на рис.7. Строгое описание физики про-
цессов в диоде требует его рассмотрения как
распределенной системы (использования
уравнений в частных производных) или слож-
ных эквивалентных представлений, что со-
ставляет содержание толстых монографий. Если же ограничиться качествен-
ным описанием, об этой системе можно сказать следующее.
Рис.7. Схема нелинейного ко-
лебательного контура с полу-
проводниковым диодом.
Свойства диодов (рис.8а) оп-
ределяются видом распределения
концентрации примесей вдоль дио-
да (между контактами): количест-
вом и распределением акцепторов
и доноров, внесенных в полупро-
водник с собственной проводимо-
стью при создании двух контакти-
рующих областей с p- и n-типами
проводимости. В типичном случае
концентрация примеси в одной из половин диода на порядки больше чем в дру-
гой (например, в диоде с n
+
-p структурой имеется избыток электронов по срав-
нению с концентрацией дырок в p-области, рис.8б). Область с большей концен-
трацией носителей называют эмиттером, а с меньшей – базой; база имеет отно-
в)
б) г)
а)
Рис.8. Структура диода с p-n-переходом (а),
распределение примесей вдоль диода плав-
ным переходом (б), качественный вид рас-
пределения примеси в базе варакторного
диода (в), качественный вид ВАХ и ВФХ
диода (С — дифференциальная емкость) (г).
18

Страницы