Составители:
Рубрика:
• зависимость тока через диод от напряжения смещения I(U) - в статических
условиях или при очень медленном изменении напряжения и токов, когда
инерционность не проявляется (ВАХ). Качественный вид ВАХ и ВФХ пред-
ставлен на рис.8г.
Значительный разброс параметров полупроводниковых элементов, обу-
словленный особенностями полупроводниковой технологии, деградацией при
хранении и использовании, приводит к очень широкому разбросу условий воз-
буждения нелинейных колебаний даже в экспериментах с однотипными диода-
ми (в том числе, взятыми из одной заводской упаковки).
Этот нелинейный контур представляет собой классическую осциллятор-
ную систему и является эталонным объектом радиофизики. Многообразие ко-
лебательных явлений, наблюдаемых в контуре, привело к тому, что подобные
системы нашли широкое применение в технике. Исследованию сложной дина-
мики контура с диодом посвящены десятки статей (см., например, [16-22]).
4.4. Различные модели контура с диодом
Предлагались различные модели этого объекта. При их построении ис-
пользовались законы Кирхгофа и некоторые предположения о свойствах диода.
Так, в [16-18] было предложено эквивалентное представление диода в виде не-
линейной емкости (рис.7 — представление 1), и при дополнительных предпо-
ложениях модельное дифференциальное уравнение свелось в [18] к уравнению
Тода. Предлагались и другие эквивалентные представления диода, например, в
виде нелинейной емкости и нелинейного сопротивления, соединенных парал-
лельно [19-21] (рис.7 — представление 2). Сравнение моделей с эксперимен-
тальной системой проводилось путем построения и сопоставления карт дина-
мических режимов. Карты динамических режимов у различных моделей оказы-
ваются схожими с экспериментальными. Кроме модельных дифференциальных
уравнений предлагались и модельные отображения для контура с диодом. Мо-
дельные отображения конструировались из некоторых общих соображений: ав-
20
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 18
- 19
- 20
- 21
- 22
- …
- следующая ›
- последняя »
