Моделирование неавтономных систем по временным рядам. Безручко Б.П - 22 стр.

UptoLike

Рубрика: 

2) Постройте неавтономные модели (14) при различных значениях K (от 1
до 7) по тому же временному ряду (период воздействия равен
).
Убедитесь в том, что не удается получить эффективную модель.
t
=
02.84T
0
3) Для построения модели (14) целесообразно использовать в качестве
наблюдаемой v проинтегрированную временную реализацию силы тока (см.
приложение 4). Откройте файл с этой реализацией (pwl-int.txt) и постройте по
нему модели (14) с различными K (от 1 до 15). Выберите модель, поведение ко-
торой хорошо воспроизводит поведение объекта. Постройте графики
и
. Определите оптимальное значение K.
)
(K
ε
)(
K
pred
τ
II. Контур с полупроводниковым диодом
4) Используйте хаотическую временную реализацию величины, пропор-
циональной напряжению на резисторе R (т.е. пропорциональной силе тока че-
рез резистор)
9
. Откройте файл с этой реализацией (diode.txt). С помощью про-
граммы ScalarODE постройте модели в виде автономных дифференциальных
уравнений с полиномом в правой части (5), меняя значения размерности D (от 2
до 4) и порядка полинома K (от 1 до 5), и в виде неавтономных дифференци-
альных уравнений (10) при различных значениях порядка полинома (от 1 до 7).
Убедитесь, что не удается получить эффективную модель.
5) Как и в случае контура с переключаемыми конденсаторами, времен-
ную реализацию тока в контуре с диодом можно предварительно подвергнуть
численному интегрированию и строить неавтономные модельные уравнения в
виде (10)
10
. Откройте файл с проинтегрированной скалярной временной реали-
зацией (diode-i.txt). Постройте неавтономные модели (14) при различных значе-
ниях порядка полинома K (от 1 до 10), (период воздействия равен
).
Убедитесь в невозможности построить эффективную модель.
t
=
75T
0
9
Значения этой величины измерены с помощью 12-разрядного АЦП с интервалом выборки
t = 2/3 мкс. Параметры схемы (рис.7) имели значения: R = 75 Ом, амплитуда воздействия
U
0
= 7.8 В, частота воздействия 20 кГц, индуктивность L = 0.02 Гн; использовался диод вида
Д242.
10
Предпосылкой для этого служит предположение о возможном представлении диода в виде
нелинейной емкости (см. рис.7 — представление 1).
22