ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
5
жение на конденсаторе в Q раз больше ЭДС источника. Это явление
носит название резонанса напряжений. Можно показать, что амплитуда
колебаний напряжения на индуктивности
UL
dI
dt
L
0
= при ωω=
0
также
будет равна
ε
0
⋅
Q, но при этом напряжение на индуктивности будет
меняться в противофазе с напряжением на конденсаторе.
Из формулы (12) можно найти частоту
ω
C
, при которой напря-
жение на конденсаторе будет максимальным,. Для этого надо решить
уравнение
dU
d
C
0
ω
= 0.
После несложных, но громоздких преобразова-
ний можно получить:
ωω ω ω
C
R
L
Q
=−
⎛
⎝
⎜
⎞
⎠
⎟
=⋅− <
0
2
2
0
2
1
2
1
1
2
0
(14)
и
U
CR
LC
R
L
CC
0
0
2
2
1
4
()ω
ε
=
−
. (15)
При
Q >> 1
можно записать
ω
ω
ω
ε
CCC
UQ
≈
=⋅
00
0
,() . à
Таким образом, измеряя напряжение на конденсаторе на резо-
нансной частоте, можно определить добротность контура
Q
.
На рис. 4 приведен вид зависимости ам-
плитуды напряжения на конденсаторе от частоты
ЭДС внешнего источника. При
ω
=
0
U
C
0
0
=ε
, по
мере увеличения частоты
U
C
0
растет и при
ω
ω
=
0
достигает максимального значения
(
)
UQ
C
ìàêñ
0
0
≈⋅ε , после чего начинается моно-
тонное убывание напряжения до нуля. Обратим
внимание на тот факт, что частота
ω
C
, при кото-
рой амплитуда колебаний напряжения на конденсаторе максимальна,
несколько меньше частоты
ω
0
, для которой максимальна амплитуда
силы тока.
W - энергия, запасенная в контуре,
∆
W - потери энергии в контуре за период колеба-
ний.
Рис. 4. Вид резонансной
кривой для напряжения на
конденсаторе.
5
жение на конденсаторе в Q раз больше ЭДС источника. Это явление
носит название резонанса напряжений. Можно показать, что амплитуда
dI
колебаний напряжения на индуктивности U L 0 = L при ω = ω 0 также
dt
будет равна ε 0 ⋅ Q , но при этом напряжение на индуктивности будет
меняться в противофазе с напряжением на конденсаторе.
Из формулы (12) можно найти частоту ω C , при которой напря-
жение на конденсаторе будет максимальным,. Для этого надо решить
dU C 0
уравнение = 0. После несложных, но громоздких преобразова-
dω
ний можно получить:
2
1 ⎛ R⎞ 1
ωC = ω 20 − ⎜ ⎟ = ω0 ⋅ 1 − < ω0 (14)
2⎝L ⎠ 2Q 2
и
ε0
U C 0 ( ωC ) = . (15)
1 R2
CR −
LC 4L 2
При Q >> 1 можно записать ω C ≈ ω 0 , à U C 0 ( ω C ) = ε 0 ⋅ Q .
Таким образом, измеряя напряжение на конденсаторе на резо-
нансной частоте, можно определить добротность контура Q .
На рис. 4 приведен вид зависимости ам-
плитуды напряжения на конденсаторе от частоты
ЭДС внешнего источника. При ω = 0 U C 0 = ε 0 , по
мере увеличения частоты U C 0 растет и при
ω = ω0 достигает максимального значения
Рис. 4. Вид резонансной (U )
C0
ì àêñ
≈ ε 0 ⋅ Q , после чего начинается моно-
кривой для напряжения на
тонное убывание напряжения до нуля. Обратим
конденсаторе.
внимание на тот факт, что частота ω C , при кото-
рой амплитуда колебаний напряжения на конденсаторе максимальна,
несколько меньше частоты ω 0 , для которой максимальна амплитуда
силы тока.
W - энергия, запасенная в контуре, ∆W - потери энергии в контуре за период колеба-
ний.
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 4
- 5
- 6
- 7
- 8
- …
- следующая ›
- последняя »
