ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
5
жение на конденсаторе в Q раз больше ЭДС источника. Это явление
носит название резонанса напряжений. Можно показать, что амплитуда
колебаний напряжения на индуктивности
UL
dI
dt
L
0
= при ωω=
0
также
будет равна
ε
0
⋅
Q, но при этом напряжение на индуктивности будет
меняться в противофазе с напряжением на конденсаторе.
Из формулы (12) можно найти частоту
ω
C
, при которой напря-
жение на конденсаторе будет максимальным,. Для этого надо решить
уравнение
dU
d
C
0
ω
= 0.
После несложных, но громоздких преобразова-
ний можно получить:
ωω ω ω
C
R
L
Q
=−
⎛
⎝
⎜
⎞
⎠
⎟
=⋅− <
0
2
2
0
2
1
2
1
1
2
0
(14)
и
U
CR
LC
R
L
CC
0
0
2
2
1
4
()ω
ε
=
−
. (15)
При
Q >> 1
можно записать
ω
ω
ω
ε
CCC
UQ
≈
=⋅
00
0
,() . à
Таким образом, измеряя напряжение на конденсаторе на резо-
нансной частоте, можно определить добротность контура
Q
.
На рис. 4 приведен вид зависимости ам-
плитуды напряжения на конденсаторе от частоты
ЭДС внешнего источника. При
ω
=
0
U
C
0
0
=ε
, по
мере увеличения частоты
U
C
0
растет и при
ω
ω
=
0
достигает максимального значения
(
)
UQ
C
ìàêñ
0
0
≈⋅ε , после чего начинается моно-
тонное убывание напряжения до нуля. Обратим
внимание на тот факт, что частота
ω
C
, при кото-
рой амплитуда колебаний напряжения на конденсаторе максимальна,
несколько меньше частоты
ω
0
, для которой максимальна амплитуда
силы тока.
W - энергия, запасенная в контуре,
∆
W - потери энергии в контуре за период колеба-
ний.
Рис. 4. Вид резонансной
кривой для напряжения на
конденсаторе.
5 жение на конденсаторе в Q раз больше ЭДС источника. Это явление носит название резонанса напряжений. Можно показать, что амплитуда dI колебаний напряжения на индуктивности U L 0 = L при ω = ω 0 также dt будет равна ε 0 ⋅ Q , но при этом напряжение на индуктивности будет меняться в противофазе с напряжением на конденсаторе. Из формулы (12) можно найти частоту ω C , при которой напря- жение на конденсаторе будет максимальным,. Для этого надо решить dU C 0 уравнение = 0. После несложных, но громоздких преобразова- dω ний можно получить: 2 1 ⎛ R⎞ 1 ωC = ω 20 − ⎜ ⎟ = ω0 ⋅ 1 − < ω0 (14) 2⎝L ⎠ 2Q 2 и ε0 U C 0 ( ωC ) = . (15) 1 R2 CR − LC 4L 2 При Q >> 1 можно записать ω C ≈ ω 0 , à U C 0 ( ω C ) = ε 0 ⋅ Q . Таким образом, измеряя напряжение на конденсаторе на резо- нансной частоте, можно определить добротность контура Q . На рис. 4 приведен вид зависимости ам- плитуды напряжения на конденсаторе от частоты ЭДС внешнего источника. При ω = 0 U C 0 = ε 0 , по мере увеличения частоты U C 0 растет и при ω = ω0 достигает максимального значения Рис. 4. Вид резонансной (U ) C0 ì àêñ ≈ ε 0 ⋅ Q , после чего начинается моно- кривой для напряжения на тонное убывание напряжения до нуля. Обратим конденсаторе. внимание на тот факт, что частота ω C , при кото- рой амплитуда колебаний напряжения на конденсаторе максимальна, несколько меньше частоты ω 0 , для которой максимальна амплитуда силы тока. W - энергия, запасенная в контуре, ∆W - потери энергии в контуре за период колеба- ний.
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 4
- 5
- 6
- 7
- 8
- …
- следующая ›
- последняя »