Физика полупроводниковых наноструктур. Борисенко С.И. - 27 стр.

UptoLike

Составители: 

При малых значениях k
z
,раскладывая в ряд функцию косинуса, для но-
сителей заряда можно ввести эффективную массу вдоль оси z
( )
2
z
*
z
2
1z1
k
m2
2
EkE
+
=
, (2.36)
где
2
2
z
d
2
m
=
. (2.37)
Следовательно, энергетический спектр носителей заряда в окрестности
дна минизоны, с учетом энергии свободного движения вдоль КЯ, можно
описать с помощью тензора анизотропной эффективной массы. Значе-
ние
z
m
, за счет ее зависимости от ширины минизоны, можно изменять в
широких пределах, изменяя конструктивные параметры СР. Для узких
минизон
*mm
z
> >
.
2.3. Локализованные состояния
Из зонной теории твердого тела известно, что локализованные со-
стояния
9
носителей заряда появляются в полупроводниках при наличие
примесных атомов, различного рода дефектов кристаллической решетки
или при низких температурах. В последнем случае говорят об экситонах
как о свободных квазичастицах, состоящих из электрона и дырки. Так
как эти локализованные состояния формируются из волновых функций
9
Локализованным называется состояние, волновая функция которого принимает от-
личные от нуля значения в некоторой ограниченной области пространства.
27
E
2
E
1
E
d
π
d
π
z
k
Рис. 2.1 Энергетический спектр основной и первой возбужденной минизон СР
в приближении сильной связи.