Физика полупроводниковых наноструктур. Борисенко С.И. - 97 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ТПУ | Томск

Составители: 

Рубрика: 

( )
>−
≤≤−
<−
=
az,eFzV
az0,eFz
,0z,eFzV
zV
.
В этом случае собственные волновые функции электрона выражаются
через функции Эйри [17], а собственные значения энергии E
n
(F) близки
к дискретным уровням прямоугольной симметричной КЯ глубиной
2/eFaVV
−=
′
. Это означает, что собственные уровни энергии КЯ в
электрическом поле связаны с уровнями энергии КЯ без поля E
n
при-
ближенным соотношением
( )
2/eFaEFE
nn
−≈
. (6.43)
Из этой формулы вытекает, что положением резонансных уровней в КЯ
с помощью поперечного электрического поля можно легко управлять.
Следует отметить, что в КЯ произвольной формы от поля будет зави-
сеть не только положение самих уровней энергии, но и их положение
относительно друг друга. Это определяет зависимость от электрическо-
го поля спектра межподзонного оптического поглощения, связанного с
оптическими переходами электронов между уровнями E
n
(F).
6.2.3. Естественное и релаксационное уширения уровней энергии
в квантовой яме ДБКС
Квантовая яма в ДБКС не является изолированной, так как толщина
барьеров в ней сравнима с шириной КЯ. Отсюда следует, что электрон
может уйти из нее, проходя через барьеры туннельным способом. Со-
гласно квантовой механике это означает, что состояние электрона в КЯ
не является стационарным и его энергия является неопределенной ве-
личиной. Т.е. в КЯ ДБКС дискретным уровням энергии будут соответ-
ствовать разрешенные полосы, ширина которых определяется временем
97
eFa
a
E
1
(F)
z
V
Рис. 6.9 Вид симметричной КЯ в однородном электрическом поле.

Страницы