Электрофизические методы исследования МДП-структур. Бормонтов Е.Н. - 13 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ВГУ | Воронеж

Составители: 

Рубрика: 

13
5
1
0
⇔
1
7
2
⇔
1
0
1
7
1
⇔
1
0
1
7
5
⇔
1
0
1
6
2
⇔
1
0
1
6
1
⇔
1
0
1
6
5
⇔
1
0
1
5
2
⇔
1
0
1
5
1
⇔
1
0
1
5
5
⇔
1
0
1
4
2
⇔
1
0
1
4
N
=
1
A
⇔
1
0
1
4
с
м
-
3
Si-SiO
2
100 200 400 600 1000 2000 4000 10000
Толщина слоя окисла, А
1,0
0,9
0,8
0,7
0,6
0,5
0,4
0,3
C
/
C
F
B
I
Рис. 5. Зависимость емкости плоских зон от толщины слоя окисла . Параметр
кривых – уровень легирования кремния. 
                 1,0


                 0,9           17

                           10
                           ⇔
                       5
                                    17

                               10
                               ⇔
                           2             17
                 0,8

                                10
                                ⇔




                                              16
                           1
                                         10
                                          ⇔
                                    5

                                                   16
                 0,7
                                               10  ⇔

                                                        16
                                              2
                                                    10
    C FB / C I




                                                        ⇔
                                                   1
                                                          1 0 15
                 0,6
                                                        5⇔

                                                                10 1 5
                                                              2⇔




                 0,5
                                                                         15
                                                                     10



                                                                         ⇔
                                                                   1

                                                                           10 1 4
                                                                         5⇔




                                                                                                       -3

                 0,4
                                                                                     14




                                                                                                      см
                                                                                    10



                                                                                                   0 14


                                                                                    ⇔
                                                                                                  ⇔1
                                                                               2


                                                                                          =1




                                                                                                            Si-SiO2
                                                                                              A
                                                                                          N




                 0,3
                    100                       200                   400 600 1000                                 2000   4000   10000
                                                                         Тол щ и н а с л оя ок и с л а, А



Ри с. 5. За ви си мо стье мко сти пло ски х зо н о т то лщ и ны сло я о ки сла . П а р а ме тр
        кр и вы х – ур о ве ньле ги р о ва ни я кр е мни я.




                                                                                              13

Страницы