Электрофизические методы исследования МДП-структур. Бормонтов Е.Н. - 4 стр.

UptoLike

Составители: 

Рубрика: 

4
поверхностного слоя полупроводника под действием поперечного
электрического поля или света .
Для поверхностей, покрытых диэлектрическими пленками , был предложен
метод, состоящий в определении влияния поверхностных состояний на емкость
структуры металл- диэлектрик-полупроводник (C-V метод), состоящий в изучении
зависимости емкости , измеряемой на малом переменном сигнале , от постоянного
напряжения смещения. Для структур с тонким диэлектриком этот метод
позволяет получать большие изменения поверхностного потенциала при
сравнительно малых значениях напряжения.
2. Физические основы теории МДП структуры
Структура МДП представляет собой пластину кремния, на одну из сторон
которой наносится диэлектрическая пленка толщиной 20-300 нм. С обратной
стороны пластины имеется омический контакт. Поверх окисла напыляется
металлический электрод (рис.1). МДП-структура это конденсатор, одной из
обкладок которого является кремний. Если к такому конденсатору приложить
положительное (относительно металла ) смещение , то поверхностный слой
полупроводника n-типа будет обогащаться электронами . В полупроводнике p-
типа в этом случае образуется обедненный слой, а при значительных
напряжениях инверсионный. При отрицательном смещении основными
носителями (дырками ) обогащается поверхность полупроводника p-типа , а на n-
типе возникает инверсионный слой. Образование области пространственного
заряда у поверхности полупроводника приводит к тому, что сам полупроводник
обладает емкостью . Величина этой емкости определяется пространственным
зарядом и зависит от приложенного напряжения. Эквивалентная схема идеальной
МДП-структуры при отсутствии поверхностных состояний представляет собой
цепь из двух последовательно соединенных емкостей (рис.2а ), одна из которых
связана с конденсатором, образованным диэлектрической пленкой между двумя
проводящими обкладками (C
i
), вторая дифференциальная емкость,
обусловленная пространственным зарядом в полупроводнике (C
sc
).
Сопротивление (R
s
) является последовательным сопротивлением
полупроводниковых пластин, зависящим от площади МДП-структуры, толщины
кремния и его удельного сопротивления.
В реальной МДП-структуре у поверхности полупроводника или вблизи
границы раздела полупроводник-диэлектрик имеются заряженные поверхностные
состояния. С зарядом в этих состояниях Q
ss
связана дифференциальная емкость
С
SS
=dQ
SS
/dψ
S
, которая включена параллельно емкости пространственного заряда
(рис.2б ).
Основными характеристиками МДП-структуры являются: поверхностный
потенциал
s
ψ
; плотность поверхностных состояний N
ss
и их энергетическое
распределение D
ss
(E) в запрещенной зоне полупроводника ; эффективный
поверхностный заряд Q
sseff
; величина встроенного в диэлектрик заряда , его
подвижность и геометрическое распределение по координате Q
ox
(x);
концентрация поверхностных состояний N
ss
; энергетическая плотность
по ве р х но стно го     сло я     по лупр о во дни ка     по д      де йстви е м     по пе р е чно го
эле ктр и че ско го по ля и ли све та .
   Д ля по ве р х но сте й, по кр ы ты х ди эле ктр и че ски ми пле нка ми , б ы л пр е дло ж е н
ме то д, со сто ящ и й в о пр е де ле ни и вли яни я по ве р х но стны х со сто яни й на е мко сть
стр уктур ы ме та лл-ди эле ктр и к-по лупр о во дни к (C-V ме то д), со сто ящ и й в и зуче ни и
за ви си мо сти е мко сти , и зме р яе мо й на ма ло м пе р е ме нно м си гна ле , о тпо сто янно го
на пр яж е ни я сме щ е ни я. Д ля стр уктур с то нки м ди эле ктр и ко м это т ме то д
по зво ляе т по луча ть б о льш и е и зме не ни я по ве р х но стно го по те нци а ла пр и
ср а вни те льно ма лы х зна че ни ях на пр яж е ни я.

                      2. Ф и зи ческ и е осн овы теори и М ДП –стру к ту ры

         Стр уктур а М Д П пр е дста вляе тсо б о й пла сти ну кр е мни я, на о дну и з сто р о н
ко то р о й на но си тся ди эле ктр и че ска я пле нка то лщ и но й 20-300 нм. С о б р а тно й
сто р о ны пла сти ны и ме е тся о ми че ски й ко нта кт. П о ве р х о ки сла на пы ляе тся
ме та лли че ски й эле ктр о д (р и с.1). М Д П -стр уктур а – это ко нде нса то р , о дно й и з
о б кла до к ко то р о го являе тся кр е мни й. Если к та ко му ко нде нса то р у пр и ло ж и ть
по ло ж и те льно е (о тно си те льно ме та лла ) сме щ е ни е , то по ве р х но стны й сло й
по лупр о во дни ка n-ти па б уде т о б о га щ а ться эле ктр о на ми . В по лупр о во дни ке p-
ти па в это м случа е о б р а зуе тся о б е дне нны й сло й, а пр и зна чи те льны х
на пр яж е ни ях – и нве р си о нны й. П р и о тр и ца те льно м сме щ е ни и о сно вны ми
но си те лями (ды р ка ми ) о б о га щ а е тся по ве р х но стьпо лупр о во дни ка p-ти па , а на n-
ти пе во зни ка е т и нве р си о нны й сло й. О б р а зо ва ни е о б ла сти пр о стр а нстве нно го
за р яда у по ве р х но сти по лупр о во дни ка пр и во ди тк то му, что са м по лупр о во дни к
о б ла да е т е мко стью . В е ли чи на это й е мко сти о пр е де ляе тся пр о стр а нстве нны м
за р ядо м и за ви си то тпр и ло ж е нно го на пр яж е ни я. Э кви ва ле нтна я сх е ма и де а льно й
М Д П -стр уктур ы пр и о тсутстви и по ве р х но стны х со сто яни й пр е дста вляе т со б о й
це пьи з двух по сле до ва те льно со е ди не нны х е мко сте й (р и с.2а ), о дна и з ко то р ы х
связа на с ко нде нса то р о м, о б р а зо ва нны м ди эле ктр и че ско й пле нко й ме ж ду двумя
пр о во дящ и ми о б кла дка ми (Ci), вто р а я – ди ф ф е р е нци а льна я е мко сть,
о б усло вле нна я      пр о стр а нстве нны м за р ядо м в по лупр о во дни ке                   (Csc).
Со пр о ти вле ни е       (Rs)        являе тся       по сле до ва те льны м       со пр о ти вле ни е м
по лупр о во дни ко вы х пла сти н, за ви сящ и м о тпло щ а ди М Д П -стр уктур ы , то лщ и ны
кр е мни я и е го уде льно го со пр о ти вле ни я.
         В р е а льно й М Д П -стр уктур е у по ве р х но сти по лупр о во дни ка и ли вб ли зи
гр а ни цы р а зде ла по лупр о во дни к-ди эле ктр и к и ме ю тся за р яж е нны е по ве р х но стны е
со сто яни я. С за р ядо м в эти х со сто яни ях Q ss связа на ди ф ф е р е нци а льна я е мко сть
С SS=dQSS/dψS , ко то р а я вклю че на па р а лле льно е мко сти пр о стр а нстве нно го за р яда
(р и с.2б ).
         О сно вны ми х а р а кте р и сти ка ми М Д П -стр уктур ы являю тся: по ве р х но стны й
по те нци а л ψ s ; пло тно сть по ве р х но стны х со сто яни й Nss и и х эне р ге ти че ско е
р а спр е де ле ни е D ss(E) в за пр е щ е нно й зо не по лупр о во дни ка ; эф ф е кти вны й
по ве р х но стны й за р яд Q sseff ; ве ли чи на встр о е нно го в ди эле ктр и к за р яда , е го
по дви ж но сть и ге о ме тр и че ско е          р а спр е де ле ни е   по   ко о р ди на те    Qox(x);
ко нце нтр а ци я по ве р х но стны х со сто яни й Nss; эне р ге ти че ска я пло тно сть

                                                  4