ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
6
поверхностных состояний D
ss
(E); генерационно -рекомбинационные параметры
(время жизни носителей заряда , эффективные сечения захвата , скорость
поверхностной рекомбинации) и др .[1-5].
Основополагающая идея для большинства методов измерения и расчета
характеристик МДП-систем состоит в том, что граничные состояния сами по себе
не влияют непосредственно на форму и другие характеристики ОПЗ
полупроводника . Их влияние проявляется посредством экранировки внешнего
поля, что сильно искажает такие экспериментальные зависимости , как вольт -
фарадные (C-V) и вольт - симменсные (G-V) характеристики МДП-структур , сток-
затворные характеристики МДП-транзисторов и др . В связи с этим большое
значение при использовании вольт- фарадных методов исследования приобретает
сравнение реальных и идеальных структур .
Под идеальной МДП-структурой понимается структура, для которой
выполняются следующие условия:
1) отсутствуют поверхностные состояния на границе раздела полупроводник –
диэлектрик и заряженные центры в объеме диэлектрика ;
2) диэлектрический слой обладает идеальными изолирующими свойствами , так
что сквозной ток отсутствует при любых напряжениях на затворе;
3) контактная разность потенциалов (КРП ) между полупроводником и металлом
),2/(
BgMMS
qE
ϕ
χ
ϕ
ϕ
−
+
−
=
где
M
ϕ
- работа выхода из металла (для Al она равна 4,1 эВ ),
χ
- сродство к
электрону полупроводника , E
g
- ширина запрещенной зоны полупроводника ,
B
ϕ
-
объемный потенциал, равна нулю ;
4) базовый контакт к полупроводниковой подложке является омическим .
В основе теоретического описания МДП-структуры лежит теория области
пространственного заряда (ОПЗ) полупроводника . Основные параметры ОПЗ
(заряд и емкость) получаются путем решения уравнения Пуассона с
соответствующими граничными условиями
,exp1exp1
00
2
2
−−−
−−=
kT
q
p
kT
q
n
q
dx
d
s
ψψ
ε
ψ
(1)
,0;0 ==
∞→
∞→
x
x
dx
dψ
ψ
(2)
где q - заряд электрона, ε
s
- абсолютная диэлектрическая проницаемость
полупроводника , k - постоянная Больцмана, T - абсолютная температура,
ψ −
электростатический потенциал полупроводника (изгиб зон). Введя
обозначения
i
s
D
i
i
nq
kT
L
n
n
n
p
kT
q
y
2
0
0
2
;;
ε
λ
ψ
==== (3)
(n
i
- концентрация носителей заряда в собственном полупроводнике ), уравнение
(1) и граничные условия (2) можно переписать в следующем виде :
()()()()
[
]
,1exp1exp
2
1
1
22
2
−−−−=
−
yy
Ldx
yd
D
λλ (4)
по ве р х но стны х со сто яни й Dss(E); ге не р а ци о нно -р е ко мб и на ци о нны е па р а ме тр ы (вр е мя ж и зни но си те ле й за р яда , эф ф е кти вны е се че ни я за х ва та , ско р о сть по ве р х но стно й р е ко мб и на ци и ) и др .[1-5]. О сно во по ла га ю щ а я и де я для б о льш и нства ме то до в и зме р е ни я и р а сче та х а р а кте р и сти к М Д П -си сте м со сто и тв то м, что гр а ни чны е со сто яни я са ми по се б е не вли яю т не по ср е дстве нно на ф о р му и др уги е х а р а кте р и сти ки О П З по лупр о во дни ка . И х вли яни е пр о являе тся по ср е дство м экр а ни р о вки вне ш не го по ля, что си льно и ска ж а е т та ки е экспе р и ме нта льны е за ви си мо сти , ка к во льт- ф а р а дны е (C-V) и во льт-си мме нсны е (G-V) х а р а кте р и сти ки М Д П -стр уктур , сто к- за тво р ны е х а р а кте р и сти ки М Д П -тр а нзи сто р о в и др . В связи с эти м б о льш о е зна че ни е пр и и спо льзо ва ни и во льт-ф а р а дны х ме то до в и ссле до ва ни я пр и о б р е та е т ср а вне ни е р е а льны х и и де а льны х стр уктур . П о д и де а льно й М Д П -стр уктур о й по ни ма е тся стр уктур а , для ко то р о й вы по лняю тся сле дую щ и е усло ви я: 1) о тсутствую т по ве р х но стны е со сто яни я на гр а ни це р а зде ла по лупр о во дни к – ди эле ктр и к и за р яж е нны е це нтр ы в о б ъе ме ди эле ктр и ка ; 2) ди эле ктр и че ски й сло й о б ла да е т и де а льны ми и зо ли р ую щ и ми сво йства ми , та к что скво зно й то к о тсутствуе тпр и лю б ы х на пр яж е ни ях на за тво р е ; 3) ко нта ктна я р а зно стьпо те нци а ло в (КРП ) ме ж ду по лупр о во дни ко м и ме та лло м ϕ MS = ϕ M − ( χ + E g / 2q − ϕ B ), где ϕ M - р а б о та вы х о да и з ме та лла (для Al о на р а вна 4,1 эВ ), χ - ср о дство к эле ктр о ну по лупр о во дни ка , Eg - ш и р и на за пр е щ е нно й зо ны по лупр о во дни ка , ϕ B - о б ъе мны й по те нци а л, р а вна нулю ; 4) б а зо вы й ко нта ктк по лупр о во дни ко во й по дло ж ке являе тся о ми че ски м . В о сно ве те о р е ти че ско го о пи са ни я М Д П -стр уктур ы ле ж и т те о р и я о б ла сти пр о стр а нстве нно го за р яда (О П З) по лупр о во дни ка . О сно вны е па р а ме тр ы О П З (за р яд и е мко сть) по луча ю тся путе м р е ш е ни я ур а вне ни я П уа ссо на с со о тве тствую щ и ми гр а ни чны ми усло ви ями d 2ψ q qψ qψ = − n 1 − exp − p 1 − exp − , (1) εs 0 0 dx 2 kT kT dψ ψ x→∞ = 0; = 0, (2) dx x →∞ где q - за р яд эле ктр о на , εs - а б со лю тна я ди эле ктр и че ска я пр о ни ца е мо сть по лупр о во дни ка , k - по сто янна я Бо льцма на , T - а б со лю тна я те мпе р а тур а , ψ − эле ктр о ста ти че ски й по те нци а л по лупр о во дни ка (и зги б зо н). В ве дя о б о зна че ни я qψ p n ε s kT y= ; λ = 0 = i ; LD = (3) kT ni n0 2q 2 ni (ni - ко нце нтр а ци я но си те ле й за р яда в со б стве нно м по лупр о во дни ке ), ур а вне ни е (1) и гр а ни чны е усло ви я (2) мо ж но пе р е пи са тьв сле дую щ е м ви де : d2y dx 2 1 [ = 2 λ−1 (exp( y ) − 1) − λ (exp(− y ) − 1) , 2 LD ] (4) 6
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 4
- 5
- 6
- 7
- 8
- …
- следующая ›
- последняя »