ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
8
Приложенное к затвору МДП-структуры напряжение V
g
делится между
полупроводником и диэлектриком
,
s
i
G
sig
C
Q
VV ψψ +=+= (15)
где V
i
- падение напряжения на слое диэлектрика , Q
G
- заряд на металлическом
электроде . Пользуясь уравнением электронейтральности
,0
=
+
scG
QQ (16)
выражение (15) можно переписать в виде
.
s
i
sc
g
C
Q
V ψ+−= (17)
Соотношения (14) и (17) представляют собой параметрическое уравнение вольт -
фарадной (C-V) характеристики идеальной МДП-структуры. Заряд Q
sc
и емкость
C
sc
области пространственного заряда даются выражениями (8) и (11).
Зависимость емкости идеальной МДП-структуры с полупроводником р-
типа от напряжения смещения показана на рис.3 и качественно может быть
объяснена следующим образом. При отрицательных напряжениях на затворе
(режим обогащения) дифференциальная емкость полупроводника существенно
больше емкости диэлектрика и поэтому стремится к C
i
. В режиме плоских зон
ёмкость ОПЗ даётся формулой
DeffsscFB
LC
ε
=
, (18)
а полная ёмкость МДП-структуры определяется выражением
()
Deffsii
i
FB
Ld
C
εε
ε
+
= , (19)
где
)(
00
2
pnq
kT
L
s
Deff
+
=
ε
- (20)
эффективная дебаевская длина экранирования.
Когда напряжение , приложенное к МДП-структуре, становится
положительным, в приповерхностной области полупроводника образуется слой,
обедненный подвижными носителями заряда , который действует как добавочный
слой диэлектрика . Емкость C
SC
в режиме обеднения становится сравнимой или
меньше емкости диэлектрика C
i
, что приводит к уменьшению полной емкости
МДП-структуры. Поведение ёмкости МДП-структуры в области инверсионных
изгибов зон, когда поверхностный потенциал y
s
стремится к величине 2lnλ,
зависит от частоты тестирующего переменного сигнала . Это связано с тем , что
инверсионный слой у поверхности полупроводника в равновесных условиях
возникает в результате тепловой генерации неосновных носителей.
Следовательно , количество носителей в инверсионном слое может изменяться
только со скоростью тепловой генерации неосновных носителей в ОПЗ
полупроводника . При низких частотах тестирующего напряжения неосновные
носители заряда в инверсионном слое успевают следовать за переменным
сигналом. В таком режиме ёмкость ОПЗ полупроводника значительно превышает
ёмкость диэлектрика C
i
, поэтому полная ёмкость МДП-структуры, как и при
П р и ло ж е нно е к за тво р у М Д П -стр уктур ы на пр яж е ни е Vg де ли тся ме ж ду по лупр о во дни ко м и ди эле ктр и ко м Q Vg = Vi + ψ s = G + ψ s , (15) Ci где Vi - па де ни е на пр яж е ни я на сло е ди эле ктр и ка , Q G - за р яд на ме та лли че ско м эле ктр о де . П о льзуясьур а вне ни е м эле ктр о не йтр а льно сти QG + Qsc = 0, (16) вы р а ж е ни е (15) мо ж но пе р е пи са тьв ви де Q V g = − sc + ψ s . (17) Ci Со о тно ш е ни я (14) и (17) пр е дста вляю тсо б о й па р а ме тр и че ско е ур а вне ни е во льт- ф а р а дно й (C-V) х а р а кте р и сти ки и де а льно й М Д П -стр уктур ы . За р яд Qsc и е мко сть Csc о б ла сти пр о стр а нстве нно го за р яда да ю тся вы р а ж е ни ями (8) и (11). За ви си мо сть е мко сти и де а льно й М Д П -стр уктур ы с по лупр о во дни ко м р - ти па о т на пр яж е ни я сме щ е ни я по ка за на на р и с.3 и ка че стве нно мо ж е т б ы ть о б ъясне на сле дую щ и м о б р а зо м. П р и о тр и ца те льны х на пр яж е ни ях на за тво р е (р е ж и м о б о га щ е ни я) ди ф ф е р е нци а льна я е мко стьпо лупр о во дни ка сущ е стве нно б о льш е е мко сти ди эле ктр и ка и по это му стр е ми тся к Ci . В р е ж и ме пло ски х зо н ёмко стьО П З да ётся ф о р муло й C scFB = ε s LDeff , (18) а по лна я ёмко стьМ Д П -стр уктур ы о пр е де ляе тся вы р а ж е ни е м εi C FB = , (19) d i + (ε i ε s )L Deff где ε kT LDeff = 2 s - (20) q (n + p ) 0 0 эф ф е кти вна я де б а е вска я дли на экр а ни р о ва ни я. Ко гда на пр яж е ни е , пр и ло ж е нно е к М Д П -стр уктур е , ста но ви тся по ло ж и те льны м, в пр и по ве р х но стно й о б ла сти по лупр о во дни ка о б р а зуе тся сло й, о б е дне нны й по дви ж ны ми но си те лями за р яда , ко то р ы й де йствуе тка к до б а во чны й сло й ди эле ктр и ка . Емко стьCSC в р е ж и ме о б е дне ни я ста но ви тся ср а вни мо й и ли ме ньш е е мко сти ди эле ктр и ка Ci, что пр и во ди т к уме ньш е ни ю по лно й е мко сти М Д П -стр уктур ы . П о ве де ни е ёмко сти М Д П -стр уктур ы в о б ла сти и нве р си о нны х и зги б о в зо н, ко гда по ве р х но стны й по те нци а л ys стр е ми тся к ве ли чи не 2lnλ, за ви си т о т ча сто ты те сти р ую щ е го пе р е ме нно го си гна ла . Э то связа но с те м , что и нве р си о нны й сло й у по ве р х но сти по лупр о во дни ка в р а вно ве сны х усло ви ях во зни ка е т в р е зульта те те пло во й ге не р а ци и не о сно вны х но си те ле й. Сле до ва те льно , ко ли че ство но си те ле й в и нве р си о нно м сло е мо ж е т и зме няться то лько со ско р о стью те пло во й ге не р а ци и не о сно вны х но си те ле й в О П З по лупр о во дни ка . П р и ни зки х ча сто та х те сти р ую щ е го на пр яж е ни я не о сно вны е но си те ли за р яда в и нве р си о нно м сло е успе ва ю т сле до ва ть за пе р е ме нны м си гна ло м. В та ко м р е ж и ме ёмко стьО П З по лупр о во дни ка зна чи те льно пр е вы ш а е т ёмко стьди эле ктр и ка Ci, по это му по лна я ёмко стьМ Д П -стр уктур ы , ка к и пр и 8
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 6
- 7
- 8
- 9
- 10
- …
- следующая ›
- последняя »