Наклонная ионная имплантация. Бормонтов Е.Н - 12 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ВГУ | Воронеж

Составители: 

Рубрика: 

12
6. Записать распределение примеси при наклонной имплантации для случая
неусеченной гауссианы с учетом эффекта каналирования .
7. Записать распределение примеси при наклонной имплантации для случая
усеченной гауссианы с учетом эффекта каналирования .
2. Локальная наклонная имплантация
2.1. Распределение примесей при наклонной имплантации
с учетом бокового рассеяния под край защитной маски
При наклонной имплантации вблизи края защитной маски толщиной d
( d>>R
p
+3∆R
p
) в зависимости от ориентации пучка ионов и его угла отклонения от
нормали могут быть два случая : имплантация под край защитной маски
(рис. 3,а) и имплантация с образованием теневого участка у края защитной маски
(рис. 3,б) [1].
В обоих случаях при наклонной имплантации под углом θ относительно
нормали к поверхности распределение ионно-имплантированных примесей по
глубине N(x) описывается неусеченной (1.1) или усеченной (1.2) гауссианами.
На заданной глубине x перераспределение ионно-имплантированных
примесей за счет бокового рассеяния будет описываться по модели диффузии в
неограниченное тело из полубесконечного пространства:
- при имплантации под край защитной маски
'
2
'
2
)(
),(
⊥
∆
−
=
R
ay
erfc
xN
yxN ; (2.1)
- при имплантации с образованием теневого участка у края защитной маски
)
2
''
2(
2
)(
2
''
2
)(
),(
''
⊥⊥
∆
−
−=
∆
−
=
R
ay
erfc
xN
R
ya
erfc
xN
yxN . (2.2)
N(x,y)/Nm
И О Н Ы
1
0.5
0
Защитная маска
а '
d
а) 
                                                        12

6. Записать распределен ие примеси при н ак лон н ой имплан тации для случая
   н еусечен н ой гауссиан ы сучетом э ф ф ек так ан алирован ия.
7. Записать распределен ие примеси при н ак лон н ой имплан тации для случая
   усечен н ой гауссиан ы сучетом э ф ф ек так ан алирован ия.


                       2. Лок аль н ая н ак лон н ая имплан тация

            2.1. Распределен иепримесей при н ак лон н ой имплан тации
              сучетом бок овогорассеян ия под к рай защ итн ой маск и

      При н ак лон н ой имплан тации вблизи к рая защ итн ой маск и толщ ин ой d
(d>>Rp+3∆Rp) в зависимости от ориен тации пучк аион ов и его углаотк лон ен ия от
н ормали могут бы ть два случая: имплан тация под к рай защ итн ой маск и
(рис. 3,а) и имплан тация собразован ием тен евого участк а у к рая защ итн ой маск и
(рис. 3,б) [1].
      В обоих случаях при н ак лон н ой имплан тации под углом θ отн оситель н о
н ормали к поверхн ости распределен ие ион н о-имплан тирован н ы х примесей по
глубин еN(x) описы вается н еусечен н ой (1.1) или усечен н ой (1.2) гауссиан ами.
      Н а задан н ой глубин е x перераспределен ие ион н о-имплан тирован н ы х
примесей за счет бок ового рассеян ия будет описы вать ся по модели диф ф узии в
н еогран ичен н оетело из полубеск он ечн огопростран ства:
- при имплан тации под к рай защ итн ой маск и

                                                        N ( x)      y − a'
                                       N ( x, y ) =            erfc         ;                                (2.1)
                                                          2          2 ∆R⊥'
- при имплан тации собразован ием тен евого участк ау к рая защ итн ой маск и

                                    N ( x)      a ' '− y     N ( x)           y − a' '
                     N ( x, y ) =          erfc            =        (2 − erfc          ).                    (2.2)
                                      2          2∆R⊥    '
                                                               2               2∆R⊥'


                         ИО Н Ы


                                                                                    За щ и т на я м а с ка




                                                                                d

                                                    0           а'

                                              0.5

                                                 1




                                                        N(x,y)/Nm

                                                        а)

Страницы