Наклонная ионная имплантация. Бормонтов Е.Н - 11 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ВГУ | Воронеж

Составители: 

Рубрика: 

11
внедряемых ионов бора относительно нормали, если необходимо уменьшить
глубину залегания p-n перехода в полтора раза.
5. Исследовать зависимость глубины залегания p-n перехода от угла падения
относительно нормали при наклонной имплантации ионами сурьмы с энергией
120 кэВ и дозой 100 мкКл/см
2
кремниевой подложки марки КДБ2.
6. Пластина кремния p-типа с исходной концентрацией 1.5·10
14
см
-3
легируется
методом наклонной имплантации ионами фосфора в два этапа. На первом
этапе угол наклона ионного потока с нормалью составляет 15°, а энергия и
доза имплантации соответственно равны 80 кэВ и 200 мкКл/см
2
. На втором
этапе энергия ионов фосфора равна 50 кэВ , доза имплантации 150 мкКл/см
2
, а
угол наклона составляет 40°. Найти суммарное распределение внедренной и
исходной примесей и определить глубину залегания сформированного p-n
перехода.
7. Пластина кремния марки КДБ7 имплантируется ионами мышьяка с дозой
5 · 10
14
см
-2
и углом наклона относительно нормали 10°. Энергия внедряемых
ионов мышьяка 100 кэВ задается с погрешностью ±10%. Рассчитать
статистический разброс глубин залегания максимума концентрации
примесного слоя и сформированного p-n перехода по формулам :
%;100
0max
10maxmax
⋅
−
x
xx
%,100
0
100
⋅
−
j
jj
x
xx
где x
max
, x
max10
– глубины залегания максимума концентрации соответственно
при 100 кэВ и (100±10) кэВ ; x
j0
, x
j10
– глубины залегания p-n переходов
соответственно при 100 кэВ и (100±10) кэВ .
Вопросы
1. Записать неусеченное гауссовское распределение примеси при наклонной
имплантации в случае легирования изотипной подложки с исходной
концентрацией N
исх
.
2. Записать усеченное гауссовское распределение примеси при наклонной
имплантации в случае легирования изотипной подложки с исходной
концентрацией N
исх
.
3. Вывести формулы для расчета максимальной концентрации и определения
координаты максимума распределения при наклонной имплантации для случая
неусеченной гауссианы.
4. Вывести формулы для расчета максимальной концентрации и определения
координаты максимума распределения при наклонной имплантации для случая
усеченной гауссианы.
5. Вывести формулу для расчета глубин залегания p-n переходов при наклонной
имплантации в случае усеченной гауссианы. 
                                                11

   вн едряемы х ион ов бора отн оситель н о н ормали, если н еобходимо умен ь ш ить
   глубин у залеган ия p-n переходав полторараза.
5. И сследовать зависимость глубин ы залеган ия p-n перехода от угла паден ия
   отн оситель н о н ормали при н ак лон н ой имплан тации ион ами сурь мы сэ н ергией
   120 к э В и дозой 100 мк К л/см2 к ремн иевой подлож к и марк и К Д Б2.
6. Пластин а к ремн ия p-типа с исходн ой к он цен трацией 1.5·1014 см-3 легируется
   методом н ак лон н ой имплан тации ион ами ф осф ора в два э тапа. Н а первом
   э тапе угол н ак лон а ион н ого поток а с н ормаль ю составляет 15°, а э н ергия и
   доза имплан тации соответствен н о равн ы 80 к э В и 200 мк К л/см2. Н а втором
   э тапе э н ергия ион ов ф осф ора равн а50 к э В , дозаимплан тации 150 мк К л/см2, а
   угол н ак лон а составляет 40°. Н айти суммарн ое распределен ие вн едрен н ой и
   исходн ой примесей и определить глубин у залеган ия сф ормирован н ого p-n
   перехода.
7. Пластин а к ремн ия марк и К Д Б7 имплан тируется ион ами мы ш ь як а с дозой
   5·1014 см-2 и углом н ак лон а отн оситель н о н ормали 10°. Э н ергия вн едряемы х
   ион ов мы ш ь як а 100 к э В задается с погреш н ость ю ±10%. Рассчитать
   статистическ ий разброс глубин залеган ия мак симума к он цен трации
   примесн ого слоя и сф ормирован н огоp-n переходапоф ормулам:

                                    x max − xmax 10
                                                       ⋅ 100%;
                                         x max 0
                                     x j 0 − x j 10
                                                      ⋅ 100 %,
                                         x j0
   где xmax, xmax10 – глубин ы залеган ия мак симума к он цен трации соответствен н о
   при 100 к э В и (100±10) к э В ; xj0, xj10 – глубин ы залеган ия p-n переходов
   соответствен н о при 100 к э В и (100±10) к э В .


                                          В опросы

1. Записать н еусечен н ое гауссовск ое распределен ие примеси при н ак лон н ой
   имплан тации в случае легирован ия изотипн ой подлож к и с исходн ой
   к он цен трацией Nи сх.
2. Записать усечен н ое гауссовск ое распределен ие примеси при н ак лон н ой
   имплан тации в случае легирован ия изотипн ой подлож к и с исходн ой
   к он цен трацией Nи сх.
3. В ы вести ф ормулы для расчета мак сималь н ой к он цен трации и определен ия
   к оордин аты мак симумараспределен ия при н ак лон н ой имплан тации для случая
   н еусечен н ой гауссиан ы .
4. В ы вести ф ормулы для расчета мак сималь н ой к он цен трации и определен ия
   к оордин аты мак симумараспределен ия при н ак лон н ой имплан тации для случая
   усечен н ой гауссиан ы .
5. В ы вести ф ормулу для расчета глубин залеган ия p-n переходов при н ак лон н ой
   имплан тации в случае усечен н ой гауссиан ы .

Страницы