Наклонная ионная имплантация. Бормонтов Е.Н - 13 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ВГУ | Воронеж

Составители: 

Рубрика: 

13
N(x,y)/Nm
И О Н Ы
1
0.5
0
а ''
d
теневой участок
б)
Рис. 3. Формирование нормированных боковых профилей
распределения наклонно имплантированных примесей :
а) имплантация под край защитной маски;
б) имплантация с образованием теневого участка у края
защитной маски
В формулах (2.1) и (2.2) из геометрических соображений имеем
.)('';';sin'
θ
θ
θ
tgdxatgxaRR
+
=
⋅
=
∆
=
∆
⊥⊥
В случае легирования подложки с противоположным типом проводимости и
исходной концентрацией примеси N
исх
из условия N(x
j1,2
,y)=N
исх
можно получить
аналитическую зависимость глубин залегания x
j1,2
(у) сформированных p-n
переходов.
Например, если наклонно имплантируемый профиль описывается по
глубине неусеченной гауссианой (1.1), а имплантация проводится под край
защитной маски, то распределение у края защитной маски будет иметь вид
'
2
'
2
2
2
)cos(
22
)(
⊥
∆
−
∆
−
−
∆
=
R
ay
erfc
R
p
Rx
e
R
Q
xN
θ
π
, (2.3)
а зависимость x
j1,2
(у) глубины залегания сформированных p-n переходов есть
функция
исх
RN
R
ay
erfcQ
R
p
Ry
j
x
∆
⊥
∆
−
⋅
∆±=
π
θ
22
2
'
ln2cos)(
2,1
. (2.4) 
                                                               13

                                ИО Н Ы




                                            d
                                                           0
                                   т еневой у ча с т ок               а ''

                                                               0.5

                                                               1


                                                          N(x,y)/Nm

                                         б)
           Рис. 3. Ф ормирован иен ормирован н ы х бок овы х проф илей
             распределен ия н ак лон н оимплан тирован н ы х примесей:
          а) имплан тация под к рай защ итн ой маск и;
          б) имплан тация с образован ием тен евого участк а у к рая
             защ итн ой маск и


      В ф ормулах (2.1) и (2.2) из геометрическ их соображ ен ий имеем

                                 ∆R'⊥ = ∆R⊥ sin θ ; a' = x ⋅ tgθ ; a' ' = ( x + d )tgθ .

      В случаелегирован ия подлож к и спротивополож н ы м типом проводимости и
исходн ой к он цен трацией примеси Nи сх из условия N(xj1,2,y)=Nи сх мож н о получить
ан алитическ ую зависимость глубин залеган ия xj1,2(у) сф ормирован н ы х p-n
переходов.
      Н апример, если н ак лон н о имплан тируемы й проф иль описы вается по
глубин е н еусечен н ой гауссиан ой (1.1), а имплан тация проводится под к рай
защ итн ой маск и, тораспределен ие у к рая защ итн ой маск и будет иметь вид

                                                        ( x − R p cos θ ) 2
                                                    −
                                      Q                        2 ∆R 2                y − a'
                     N ( x) =                   e                             erfc          ,   (2.3)
                                 2 2π ∆R                                                  '
                                                                                     2 ∆R ⊥


а зависимость xj1,2(у) глубин ы залеган ия сф ормирован н ы х p-n переходов есть
ф ун к ция

                                                                                 y −a'
                                                                        Q⋅erfc
                                                                                 2∆R⊥
                     x          ( y ) = R cosθ ± ∆R 2 ln              .                         (2.4)
                         j1,2            p               2 2π ∆RNи сх

Страницы