Наклонная ионная имплантация. Бормонтов Е.Н - 10 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ВГУ | Воронеж

Составители: 

Рубрика: 

10
02
.
10
8
4
.
10
8
6
.
10
8
8
.
10
8
1
.
10
7
1.2
.
10
7
1.4
.
10
7
1
.
10
19
1
.
10
20
1
.
10
21
1
.
10
22
1
.
10
23
1
.
10
24
m
m-3
1.33210
23
×
3.00210
19
×
Nfx()
1.510
7−
⋅
0x
Рис.2. График распределения фосфора, внедренного в кремниевую подложку
марки КДБ2 с энергией 60 кэВ и дозой 10
12
ион / см
2
под углом 20°
относительно нормали к поверхности подложки
2. Рассчитать и построить график распределения по глубине примеси бора,
внедренной в кремниевую пластину n-типа с исходной концентрацией
1.2·10
14
см
-3
, в случае наклонной имплантации под углом 10° к нормали при
энергии ионов бора 100 кэВ и дозе 85 мкКл/см
2
. Определить глубину залегания
сформированного p-n перехода.
3. Рассчитать и построить график распределения по глубине примеси бора,
внедренного в кремниевую пластину n-типа с исходной концентрацией
1.2·10
14
см
-3
, в случае наклонной имплантации ионов фторида бора BF
2
+
под
углом 20° к нормали при энергии 100 кэВ и дозе 85 мкКл/см
2
. Сравнить
полученный концентрационный профиль с распределением , рассчитанным в
задании 3 данного раздела. Изменится ли максимальная концентрация в
примесном слое и координата её залегания? Сместится ли глубина залегания
сформированного p-n перехода и на сколько процентов по отношению к
глубине залегания p-n перехода, сформированного в условиях задания 3?
4. Проводится внедрение бора методом ионной имплантации в пластину кремния
с целью создания примесного слоя с максимальной концентрацией 10
18
см
-3
и
глубиной залегания p-n перехода 0.4 мкм. Найти необходимую энергию ионов
бора и дозу при нормальной имплантации и определить угол наклона 
                                                                    10




                          1 .10
                              24
                         23
             1.332 ×10



                          1 .10
                              23




                          1 .10
                              22
       m-3




                 Nf( x)

                          1 .10
                              21




                          1 .10
                              20




                         19
             3.002 ×10 1 .1019
                                          2 .10       4 .10       6 .10       8 .10       1 .10       1.2 .10       1.4 .10
                                                  8           8           8           8           7             7             7
                                      0
                                  0                                             x                                                       −7
                                                                                                                              1.5 ⋅10
                                                                              m

    Рис.2. Граф ик распределен ия ф осф ора, вн едрен н ого в к ремн иевую подлож к у
          марк и К Д Б2 сэ н ергией 60 к э В и дозой 1012 ион /см2 под углом 20°
                    отн оситель н о н ормали к поверхн ости подлож к и

2. Рассчитать и построить граф ик распределен ия по глубин е примеси бора,
   вн едрен н ой в к ремн иевую пластин у n-типа с исходн ой к он цен трацией
   1.2·1014 см-3, в случае н ак лон н ой имплан тации под углом 10° к н ормали при
   э н ергии ион ов бора100 к э В и дозе 85 мк К л/см2. О пределить глубин у залеган ия
   сф ормирован н огоp-n перехода.
3. Рассчитать и построить граф ик распределен ия по глубин е примеси бора,
   вн едрен н ого в к ремн иевую пластин у n-типа с исходн ой к он цен трацией
   1.2·1014 см-3, в случае н ак лон н ой имплан тации ион ов ф торида бора BF2+ под
   углом 20° к н ормали при э н ергии 100 к э В и дозе 85 мк К л/см2. Сравн ить
   получен н ы й к он цен трацион н ы й проф иль с распределен ием, рассчитан н ы м в
   задан ии 3 дан н ого раздела. И змен ится ли мак сималь н ая к он цен трация в
   примесн ом слое и к оордин ата её залеган ия? Сместится ли глубин а залеган ия
   сф ормирован н ого p-n перехода и н а ск оль к о процен тов по отн ош ен ию к
   глубин е залеган ия p-n перехода, сф ормирован н ого в условиях задан ия 3?
4. Проводится вн едрен ие бораметодом ион н ой имплан тации в пластин у к ремн ия
   с цель ю создан ия примесн ого слоя с мак сималь н ой к он цен трацией 1018 см-3 и
   глубин ой залеган ия p-n перехода0.4 мк м. Н айти н еобходимую э н ергию ион ов
   бора и дозу при н ормаль н ой имплан тации и определить угол н ак лон а

Страницы