Наклонная ионная имплантация. Бормонтов Е.Н - 16 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ВГУ | Воронеж

Составители: 

Рубрика: 

16
Nm
Q
2π ∆R⋅
:=
Nx()Nme
xRpcos θ()⋅− ()
2
2∆R
2
⋅
−
⋅:=
Nfxy,()
Nx()
2
erfc
ya'−
2 ∆R't⋅
⋅:=
01
.
10
7
2
.
10
7
3
.
10
7
4
.
10
7
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
m
Nfxy1,()
Nm
Nfxy2,()
Nm
Nfxy3,()
Nm
x
Рис. 5. Графики распределений нормированных концентрационных
профилей по глубине при наклонной имплантации под углом 10°
относительно нормали к кремниевой пластине ионов бора с энергией 50 кэВ
и дозой 150 мкКл/см
2
2. Проводится наклонная имплантация под углом 40° относительно нормали к
кремниевой пластине марки КЭФ2 ионами бора с энергией 60 кэВ и дозой
80 мкКл/см
2
. На пластине предварительно сформирована защитная маска
толщиной 2 мкм и при имплантации образуется теневой участок :
а) рассчитать глубины залегания p-n переходов при y=a’’-
⊥
∆⋅ R2
; y=a'';
`
2''
⊥
∆+= Ray
;
б) построить график распределения нормированного бокового
концентрационного профиля N(x,y)/Nm;
в) рассчитать и построить графики нормированных концентрационных
профилей по глубине: N(x,
'
2''
⊥
∆+= Ray
)/Nm; N(x,y=a'')/Nm;
г) построить график зависимости глубин залегания сформированных p-n
переходов x
j1,2
(y). 
                                                                    16

                                                                                   2
                  Q                                         ( x− Rp ⋅cos( θ ) )
 Nm :=                                                  −
                                                                           2
              2π ⋅ ∆R                                             2⋅∆R
                                 N( x) := Nm ⋅ e


                                ⋅ erfc         
                        N( x)                  y − a'
   Nf( x, y ) :=                                 
                            2          2 ⋅ ∆R't 
                   1




                  0.8


   Nf( x , y1 )
      Nm        0.6
   Nf( x , y2 )
      Nm

   Nf( x , y3 ) 0.4
      Nm


                  0.2




                   0
                                   1 .10            2 .10                  3 .10           4 .10
                                           7                  7                        7           7
                        0
                                                                       x
                                                                   m

   Рис. 5. Граф ик и распределен ий н ормирован н ы х к он цен трацион н ы х
   проф илей по глубин е при н ак лон н ой имплан тации под углом 10°
   отн оситель н о н ормали к к ремн иевой пластин е ион ов борасэ н ергией 50 к э В
   и дозой 150 мк К л/см2

2. Проводится н ак лон н ая имплан тация под углом 40° отн оситель н о н ормали к
   к ремн иевой пластин е марк и К Э Ф 2 ион ами бора сэ н ергией 60 к э В и дозой
   80 мк К л/см2. Н а пластин е предваритель н о сф ормирован а защ итн ая маск а
   толщ ин ой 2 мк м и при имплан тации образуется тен евой участок :
   а) рассчитать глубин ы залеган ия p-n переходов при y=a’’- 2 ⋅ ∆R⊥ ; y=a'';
        y = a ' '+ 2∆R⊥` ;
   б) построить            граф ик распределен ия н ормирован н ого бок ового
       к он цен трацион н огопроф иля N(x,y)/Nm;
   в) рассчитать и построить граф ик и н ормирован н ы х к он цен трацион н ы х
       проф илей по глубин е: N(x, y = a' '+ 2∆R⊥' )/Nm; N(x,y=a'')/Nm;
   г) построить граф ик зависимости глубин залеган ия сф ормирован н ы х p-n
       переходов xj1,2(y).

Страницы