Наклонная ионная имплантация. Бормонтов Е.Н - 22 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ВГУ | Воронеж

Составители: 

Рубрика: 

22
3. Исследовать зависимость глубины залегания сформированных p-n переходов
x
j1,2
(y) от угла падения относительно нормали к поверхности кремниевой
пластины марки КДБ7 при имплантации под край окисной маски толщиной
3 мкм ионов фосфора с энергией 75 кэВ и дозой 120 мкКл/см
2
.
4. Исследовать зависимость глубины залегания сформированных p-n переходов
x
j1,2
(y) от угла падения относительно нормали к поверхности кремниевой
пластины n-типа с исходной концентрацией 5·10
14
см
-3
ионов бора с энергией
50 кэВ и дозой 200 мкКл/см
2
, если около края защитной маски из окиси
кремния толщиной 4 мкм образуется теневой участок .
5. При имплантации мышьяка под край окисной маски толщиной 2.5 мкм угол
наклона потока ионов относительно нормали к поверхности кремниевой
пластины марки КДБ4.5 составил 20°. Рассчитать и построить:
а) зависимость глубины залегания x
j1,2
(y) сформированных p-n переходов при
внедрении ионов мышьяка с энергией 100 кэВ и дозой 10
15
см
-2
;
б) графики нормированных концентрационных профилей по глубине:
N(x,y=5 мкм)/Nm; N(x,y=0)/Nm; N(x,
`
2
⊥
∆= Ry
)/Nm;
в) график распределения нормированного бокового концентрационного
профиля N(x=const,y)/Nm.
6. Проводится наклонная имплантация ионами сурьмы кремниевой подложки
p-типа с удельной электропроводностью 0.2 Ом
-1
·см
-1
. Вблизи края защитной
маски, получаемой термическим окислением в атмосфере водяного пара при
температуре 1000 °С течение 30 минут , образуется теневой участок вследствие
наклона пучка ионов относительно нормали к поверхности кремния под углом
30°. Энергия ионов сурьмы равна 90 кэВ , а доза имплантации - 10
14
см
-2
.
Рассчитать и построить:
а) графики нормированных концентрационных профилей по глубине:
N(x,y=0 мкм)/Nm; N(x,y=a'')/Nm; N(x,
`
2''
⊥
∆+= Ray
)/Nm;
б) рассчитать и построить график распределения нормированного бокового
концентрационного профиля N(x=const,y)/Nm;
в) зависимость x
j1,2
(y) глубины залегания сформированных p-n переходов.
Вопросы
1. Записать распределение примеси под краем защитной маски, если профиль
наклонно имплантируемых примесей по глубине описывается усеченной
гауссианой .
2. Найти аналитическую зависимость глубин залегания x
j1,2
(у) сформированных
p-n переходов в случае описания по глубине наклонно имплантируемых
примесей усеченной гауссианой .
3. Записать распределение примеси в области теневого участка у края защитной
маски, если профиль наклонно имплантируемых примесей по глубине
описывается :
а) неусеченной гауссианой ; 
                                          22


3. И сследовать зависимость глубин ы залеган ия сф ормирован н ы х p-n переходов
   xj1,2(y) от угла паден ия отн оситель н о н ормали к поверхн ости к ремн иевой
   пластин ы марк и К Д Б7 при имплан тации под к рай ок исн ой маск и толщ ин ой
   3 мк м ион ов ф осф орасэ н ергией 75 к э В и дозой 120 мк К л/см2.
4. И сследовать зависимость глубин ы залеган ия сф ормирован н ы х p-n переходов
   xj1,2(y) от угла паден ия отн оситель н о н ормали к поверхн ости к ремн иевой
   пластин ы n-типа с исходн ой к он цен трацией 5·1014 см-3 ион ов бора с э н ергией
   50 к э В и дозой 200 мк К л/см2, если ок оло к рая защ итн ой маск и из ок иси
   к ремн ия толщ ин ой 4 мк м образуется тен евой участок .
5. При имплан тации мы ш ь як а под к рай ок исн ой маск и толщ ин ой 2.5 мк м угол
   н ак лон а поток а ион ов отн оситель н о н ормали к поверхн ости к ремн иевой
   пластин ы марк и К Д Б4.5 составил 20°. Рассчитать и построить :
   а) зависимость глубин ы залеган ия xj1,2(y) сф ормирован н ы х p-n переходов при
        вн едрен ии ион ов мы ш ь як асэ н ергией 100 к э В и дозой 1015 см-2;
   б) граф ик и н ормирован н ы х к он цен трацион н ы х проф илей по глубин е:
        N(x,y=5 мк м)/Nm; N(x,y=0)/Nm; N(x, y = 2∆R⊥` )/Nm;
   в) граф ик распределен ия н ормирован н ого бок ового к он цен трацион н ого
        проф иля N(x=const,y)/Nm.
6. Проводится н ак лон н ая имплан тация ион ами сурь мы к ремн иевой подлож к и
   p-типа с удель н ой э лек тропроводн ость ю 0.2 О м-1·см-1. В близи к рая защ итн ой
   маск и, получаемой термическ им ок ислен ием в атмосф ере водян ого пара при
   температуре 1000 °С течен ие 30 мин ут, образуется тен евой участок вследствие
   н ак лон апучк аион ов отн оситель н о н ормали к поверхн ости к ремн ия под углом
   30°. Э н ергия ион ов сурь мы равн а 90 к э В , а доза имплан тации - 1014 см-2.
   Рассчитать и построить :
   а) граф ик и н ормирован н ы х к он цен трацион н ы х проф илей по глубин е:
        N(x,y=0 мк м)/Nm; N(x,y=a'')/Nm; N(x, y = a ' '+ 2∆R⊥` )/Nm;
   б) рассчитать и построить граф ик распределен ия н ормирован н ого бок ового
        к он цен трацион н огопроф иля N(x=const,y)/Nm;
   в) зависимость xj1,2(y) глубин ы залеган ия сф ормирован н ы х p-n переходов.

                                      В опросы

1.   Записать распределен ие примеси под к раем защ итн ой маск и, если проф иль
     н ак лон н о имплан тируемы х примесей по глубин е описы вается усечен н ой
     гауссиан ой.
2.   Н айти ан алитическ ую зависимость глубин залеган ия xj1,2(у) сф ормирован н ы х
     p-n переходов в случае описан ия по глубин е н ак лон н о имплан тируемы х
     примесей усечен н ой гауссиан ой.
3.   Записать распределен ие примеси в области тен евого участк ау к рая защ итн ой
     маск и, если проф иль н ак лон н о имплан тируемы х примесей по глубин е
     описы вается:
     а) н еусечен н ой гауссиан ой;

Страницы