Наклонная ионная имплантация. Бормонтов Е.Н - 20 стр.

UptoLike

20
Nm
Q
2π R
:=
Nx()Nme
xRpcos θ()⋅− ()
2
2R
2
:=
y1a''2R't+:= y2a'':=
Nfxy,()
Nx()
2
2erfc
ya''
2 R't
:=
01
.
10
7
2
.
10
7
3
.
10
7
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
m
Nfxy1,()
Nm
Nfxy2,()
Nm
x
Рис. 7. Графики распределений нормированных концентрационных профилей
по глубине вблизи края защитной маски толщиной 2 мкм при наклонной
имплантации под углом 40° относительно нормали с образованием теневого
участка ионов бора с энергией 60 кэВ и дозой 80 мкКл/см
2
                                                                  20

                                                                                   2
                                                              ( x− Rp⋅cos( θ ) )
                 Q                                        −
    Nm :=                                                           2⋅∆R
                                                                           2

              2π ⋅ ∆R               N( x) := Nm ⋅ e

     y1 := a'' + 2 ∆R't                 y2 := a''


                                   ⋅  2 − erfc         
                        N( x)                         y − a''
      Nf( x, y ) :=                                        
                         2                      2 ⋅ ∆R't  


                          1




                         0.8




          Nf( x , y1) 0.6
             Nm

          Nf( x , y2)
             Nm
                         0.4




                         0.2




                          0
                                              1 .10                    2 .10           3 .10
                                                      7                        7               7
                               0
                                                                               x
                                                                           m

  Рис. 7. Граф ик и распределен ий н ормирован н ы х к он цен трацион н ы х проф илей
по глубин е вблизи к рая защ итн ой маск и толщ ин ой 2 мк м при н ак лон н ой
имплан тации под углом 40° отн оситель н о н ормали с образован ием тен евого
            участк аион ов борасэ н ергией 60 к э В и дозой 80 мк К л/см2