ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
20
Nm
Q
2π ∆R⋅
:=
Nx()Nme
xRpcos θ()⋅− ()
2
2∆R
2
⋅
−
⋅:=
y1a''2∆R't+:= y2a'':=
Nfxy,()
Nx()
2
2erfc
ya''−
2 ∆R't⋅
−
⋅:=
01
.
10
7
2
.
10
7
3
.
10
7
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
m
Nfxy1,()
Nm
Nfxy2,()
Nm
x
Рис. 7. Графики распределений нормированных концентрационных профилей
по глубине вблизи края защитной маски толщиной 2 мкм при наклонной
имплантации под углом 40° относительно нормали с образованием теневого
участка ионов бора с энергией 60 кэВ и дозой 80 мкКл/см
2
20 2 ( x− Rp⋅cos( θ ) ) Q − Nm := 2⋅∆R 2 2π ⋅ ∆R N( x) := Nm ⋅ e y1 := a'' + 2 ∆R't y2 := a'' ⋅ 2 − erfc N( x) y − a'' Nf( x, y ) := 2 2 ⋅ ∆R't 1 0.8 Nf( x , y1) 0.6 Nm Nf( x , y2) Nm 0.4 0.2 0 1 .10 2 .10 3 .10 7 7 7 0 x m Рис. 7. Граф ик и распределен ий н ормирован н ы х к он цен трацион н ы х проф илей по глубин е вблизи к рая защ итн ой маск и толщ ин ой 2 мк м при н ак лон н ой имплан тации под углом 40° отн оситель н о н ормали с образован ием тен евого участк аион ов борасэ н ергией 60 к э В и дозой 80 мк К л/см2
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 18
- 19
- 20
- 21
- 22
- …
- следующая ›
- последняя »