Наклонная ионная имплантация. Бормонтов Е.Н - 21 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ВГУ | Воронеж

Составители: 

Рубрика: 

21
г)
qe 1.610
19−
⋅ Kul⋅:= KulAsec⋅≡
θ 40
π
180
⋅:= d 210
4−
⋅ cm:= Q 806.25⋅ 10
12
⋅ cm
2−
:=
Rp 1.87210
5−
× cm:=∆Rp 5.4887710
6−
× cm:=∆Rt 6.0357810
6−
× cm:=
∆R ∆Rp
2
cos θ
()
2
⋅
1
2
∆Rt
2
sin θ
()
2
⋅+:=
∆R't ∆Rtsin θ
()
⋅:= a''Rpcos θ
()
⋅ d+
()
tan θ
()
⋅:=
Ni
1
qe 1400⋅
cm
2
Vsec⋅
⋅ 2⋅ ohm⋅ cm⋅
:=
y 0()cm 10
6−
cm, 210
4−
⋅ cm..:=
xj1y()Rpcos θ
()
⋅∆R2ln
Q 2 erfc
ya''−()
2∆Rt⋅
−
⋅
22π⋅⋅∆R⋅Ni⋅
⋅⋅−:=
xj2y()Rpcos θ
()
⋅∆R2ln
Q 2 erfc
ya''−()
2∆Rt⋅
−
⋅
22π⋅⋅∆R⋅Ni⋅
⋅⋅+:=
1.5
.
10
6
1.6
.
10
6
1.7
.
10
6
1.8
.
10
6
1.9
.
10
6
0
1
.
10
7
2
.
10
7
3
.
10
7
4
.
10
7
m
m
xj1y()
xj2y()
y
Рис. 8. Графики зависимости глубин залегания сформированных p-n переходов под краем
защитной маски толщиной 2 мкм при наклонной имплантации с образованием теневого участка
под углом 40° относительно нормали к подложке марки КЭФ2 ионами бора с энергией 60 кэВ и
дозой 80 мкКл/см
2
                                                                             21

   г)
    qe := 1.6 ⋅ 10− 19 ⋅ Kul Kul ≡ A ⋅ sec
               π                                              −2
    θ := 40 ⋅         d := 2 ⋅ 10− 4cm Q := 80 ⋅ 6.25 ⋅ 1012cm
                 180
    Rp := 1.872 × 10− 5cm ∆Rp := 5.48877× 10− 6cm ∆Rt := 6.03578× 10− 6cm

        ∆R := ∆Rp ⋅ cos (θ ) + ∆Rt ⋅ sin(θ )
                         2                   2     1           2         2
                                                   2

    ∆R't := ∆Rt ⋅ sin( θ ) a'' := (Rp ⋅ cos (θ ) + d) ⋅ tan(θ )
                                         1
    Ni :=                                2                             y := ( 0)cm, 10− 6cm.. 2 ⋅ 10− 4cm
                                  cm
              qe ⋅ 1400 ⋅                    ⋅ 2 ⋅ ohm ⋅ cm
                                 V ⋅ sec

                                               Q ⋅  2 − erfc ( y − a'')   
                                                            
                                                               
                                                                            
                                                                  2 ⋅ ∆Rt 
        xj1( y) := Rp ⋅ cos (θ ) − ∆R ⋅ 2 ⋅ ln                                
                                                   2 ⋅  2 ⋅ π ⋅ ∆R  ⋅ Ni      
                                               Q ⋅  2 − erfc ( y − a'')   
                                                            
                                                               
                                                                            
                                                                  2 ⋅ ∆Rt 
        xj2( y) := Rp ⋅ cos (θ ) + ∆R ⋅ 2 ⋅ ln                                
                                                   2 ⋅  2 ⋅ π ⋅ ∆R  ⋅ Ni      




                     4 .10
                             7




                     3 .10
                             7

              xj1( y )
          m




              xj2( y )
                     2 .10
                             7




                     1 .10
                             7




                                0
                             1.5 .10             1.6 .10           1.7 .10            1.8 .10       1.9 .10
                                     6                     6                 6                  6             6

                                                                                  y
                                                                                  m
     Рис. 8. Граф ик и зависимости глубин залеган ия сф ормирован н ы х p-n переходов под к раем
защ итн ой маск и толщ ин ой 2 мк м при н ак лон н ой имплан тации собразован ием тен евого участк а
под углом 40° отн оситель н о н ормали к подлож к е марк и К Э Ф 2 ион ами борасэ н ергией 60 к э В и
                                         дозой 80 мк К л/см2

Страницы