Наклонная ионная имплантация. Бормонтов Е.Н - 23 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ВГУ | Воронеж

Составители: 

Рубрика: 

23
б) усеченной гауссианой .
4. Записать распределение примеси в области теневого участка у края защитной
маски, если профиль наклонно имплантируемых примесей по глубине
описывается :
а) неусеченной гауссианой с учетом эффекта каналирования ;
б) усеченной гауссианой с учетом эффекта каналирования.
5. В условиях вопроса 3 найти аналитическую зависимость глубин залегания
x
j1,2
(у) сформированных p-n переходов.
6. В условиях вопроса 4 найти аналитическую зависимость глубин залегания
x
j1,2
(у) сформированных p-n переходов.
7. Нарисовать и сравнить два профиля распределения примесей под краем
защитной маски, если профили наклонно имплантируемых примесей по
глубине описываются неусеченными гауссианами при ∆R
p1
<∆R
p2
и
∆R
p⊥1
<∆R
p⊥2
.
2.2. Распределение примесей при наклонной имплантации
с учетом бокового рассеяния под края щели в защитной маске
При наклонной имплантации через щель в защитной маске (рис. 9) под углом
θ относительно нормали к поверхности у правого края щели внедрение ионов
происходит под защитный слой , а у левого края щели образуется теневая область.
Учитывая результаты , полученные в п. 2.1, можно построить распределение
примесей с учетом бокового рассеяния ионов, наклонно имплантированных через
щель в защитной маске размером 2 а :
⊥
∆
−
−
⊥
∆
−
=
'
2
''
'
2
'
2
)(
),(
R
ya
erfc
R
ya
erfc
xN
yxN
, (2.5)
где
;sin
'
θ
⊥⊥
∆=∆ RR
θ
tgxdaa )('
+
+
−
=
;
.''
θ
xtgaa
+
=
Если наклонно имплантируемый профиль описывается по глубине
усеченной гауссианой (1.2), то распределение примесей с учетом бокового
рассеяния [1] будет иметь вид
⊥
∆
−
−
⊥
∆
−
∆
−
−
⋅
∆
+∆
=
'
2
''
'
2
'
2
2
2
)cos(
)
2
cos
1(
2
2
),(
R
ya
erfc
R
ya
erfc
R
p
Rx
e
R
p
R
erfR
Q
yxN
θ
θ
π
. (2.6) 
                                                                23

      б) усечен н ой гауссиан ой.
4.    Записать распределен ие примеси в области тен евого участк ау к рая защ итн ой
      маск и, если проф иль н ак лон н о имплан тируемы х примесей по глубин е
      описы вается:
      а) н еусечен н ой гауссиан ой сучетом э ф ф ек так ан алирован ия;
      б) усечен н ой гауссиан ой сучетом э ф ф ек так ан алирован ия.
5.    В условиях вопроса 3 н айти ан алитическ ую зависимость глубин залеган ия
      xj1,2(у) сф ормирован н ы х p-n переходов.
6.    В условиях вопроса 4 н айти ан алитическ ую зависимость глубин залеган ия
      xj1,2(у) сф ормирован н ы х p-n переходов.
7.    Н арисовать и сравн ить два проф иля распределен ия примесей под к раем
      защ итн ой маск и, если проф или н ак лон н о имплан тируемы х примесей по
      глубин е описы ваю тся н еусечен н ы ми гауссиан ами при ∆Rp1<∆Rp2 и
      ∆Rp⊥1<∆Rp⊥2.

               2.2. Распределен иепримесей при н ак лон н ой имплан тации
              сучетом бок ового рассеян ия под к рая щ ели в защ итн ой маск е

     При н ак лон н ой имплан тации через щ ель в защ итн ой маск е (рис. 9) под углом
θ отн оситель н о н ормали к поверхн ости у правого к рая щ ели вн едрен ие ион ов
происходит под защ итн ы й слой, ау левогок рая щ ели образуется тен евая область .
     У читы вая резуль таты , получен н ы е в п. 2.1, мож н о построить распределен ие
примесей сучетом бок ового рассеян ия ион ов, н ак лон н оимплан тирован н ы х через
щ ель в защ итн ой маск е размером 2а :

                                              N ( x)      a '− y        a ''− y 
                               N ( x, y ) =            erfc         −erfc            ,                       (2.5)
                                                2          2 ∆ R '       2  ∆ R ' 
                                                                 ⊥              ⊥

где ∆R⊥' = ∆R⊥ sin θ ; a ' = −a + ( d + x )tgθ ; a ' ' = a + xtgθ .

      Е сли н ак лон н о имплан тируемы й проф иль описы вается по глубин е
усечен н ой гауссиан ой (1.2), то распределен ие примесей с учетом бок ового
рассеян ия [1] будет иметь вид
                                                          ( x − R p cosθ )2
                                                      −
                                                               2∆R2                                    
        N ( x, y) =
                               Q
                                                 ⋅e                           erfc a'− y −erfc a''− y  .   (2.6)
                       π         R p cosθ                                          2∆R⊥ '      2∆R⊥  ' 
                      2 ∆R(1+erf          )                                                            
                        2           2∆R

Страницы