ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
29
ЛИТЕРАТУРА
1. Асессоров В . В . Математические модели распределений ионно-
имплантированных примесей / В .В . Асессоров. – Воронеж : Изд-во Воронеж .
ун - та, 2002. – 100 с.
2. Бубенников А . Н . Физико-технологическое проектирование биполярных
элементов кремниевых БИС / А .Н . Бубенников, А .Д . Садовников. – М .: Радио и
связь, 1991. – 288 с.
3. Красников Г . Я . Конструктивно-технологические особенности субмикронных
МОП-транзисторов / Г.Я . Красников : В 2-х кн. – М .: Техносфера, 2002. - Ч.1. -
416 с.
4. МОП-СБИС. Моделирование элементов и технологических процессов/ Под ред.
П.Антонетти, Д .Антониадиса, Д . Даттона, У . Оулдхема. – М .: Радио и связь,
5. Технология СБИС / Под ред. С. Зи : В 2-х кн. – М .: Мир, 1986. – Кн.1. – 404 с.;
Кн.2. – 416 с.
29
ЛИ Т Е РА Т У РА
1. А сессоров В .В . М атематическ ие модели распределен ий ион н о-
имплан тирован н ы х примесей / В .В . А сессоров. – В орон еж : И зд-во В орон еж .
ун -та, 2002. – 100 с.
2. Бубен н ик ов А .Н . Ф изик о-техн ологическ ое проек тирован ие биполярн ы х
э лемен тов к ремн иевы х БИ С / А .Н . Бубен н ик ов, А .Д . Садовн ик ов. – М .: Радио и
связь , 1991. – 288 с.
3. К расн ик ов Г.Я . К он струк тивн о-техн ологическ ие особен н ости субмик рон н ы х
М О П-тран зисторов / Г.Я . К расн ик ов: В 2-х к н . – М .: Т ехн осф ера, 2002. - Ч.1. -
416 с.
4. М О П-СБИ С. М оделирован ие э лемен тов и техн ологическ их процессов/ Под ред.
П.А н тон етти, Д .А н тон иадиса, Д . Д аттон а, У . О улдхема. – М .: Радиои связь ,
5. Т ехн ология СБИ С / Под ред. С. Зи : В 2-х к н . – М .: М ир, 1986. – К н .1. – 404 с.;
К н .2. – 416 с.
