Наклонная ионная имплантация. Бормонтов Е.Н - 28 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ВГУ | Воронеж

Составители: 

Рубрика: 

28
3. Проводится наклонная имплантация ионами бора кремниевой пластины n-типа
с удельной электропроводностью 0.2 Ом
-1
·см
-1
через щель размером 2×2 мкм в
защитной маске толщиной 1.5 мкм. Ионы бора с энергией 75 кэВ и дозой
150 мкКл/см
2
внедряются под углом 25° относительно нормали к кремниевой
подложке. Для того чтобы избежать формирования теневого участка,
легирование проводится в два этапа с равными дозами имплантации и
поворотом пластины на 180°. Рассчитать и построить:
а) график распределения нормированного бокового концентрационного
профиля N(x=const,y)/Nm;
б) графики нормированных концентрационных профилей по глубине:
N(x,y=0мкм)/Nm; N(x,y=a')/Nm; N(x,y=a'')/Nm; N(x,
`
2''
⊥
∆+= Ray )/Nm;
N(x,
`
2''
⊥
∆+−= Ray
)/Nm; N(x,
a
y
±
=
)/Nm;
в) линии равной концентрации N
m
, 10
17
см
-3
, 10
16
см
-3
;
г) зависимость x
j1,2
(y) глубин залегания сформированных p-n переходов .
Вопросы
1. Как изменится распределение (2.6) при учете эффекта каналирования ?
2. Записать распределение примеси при наклонной имплантации через щель
шириной 2 а в защитной маске с учетом бокового рассеяния и эффекта
каналирования , если профиль по глубине описывается неусеченной
гауссианой .
3. В условиях вопроса 2 найти аналитическую зависимость глубин залегания
x
j1,2
(у) сформированных p-n переходов.
4. Нарисовать и сравнить два профиля ионно-имплантированных примесей при
наклонной имплантации, если профили внедренных примесей имеют
следующие параметры : ∆R
p1
>∆R
p2
и ∆R
p⊥1
>∆R
p⊥2
. 
                                         28

3. Проводится н ак лон н ая имплан тация ион ами борак ремн иевой пластин ы n-типа
   с удель н ой э лек тропроводн ость ю 0.2 О м-1·см-1 через щ ель размером 2×2 мк м в
   защ итн ой маск е толщ ин ой 1.5 мк м. И он ы бора с э н ергией 75 к э В и дозой
   150 мк К л/см2 вн едряю тся под углом 25° отн оситель н о н ормали к к ремн иевой
   подлож к е. Д ля того чтобы избеж ать ф ормирован ия тен евого участк а,
   легирован ие проводится в два э тапа с равн ы ми дозами имплан тации и
   поворотом пластин ы н а180°. Рассчитать и построить :
   а) граф ик распределен ия н ормирован н ого бок ового к он цен трацион н ого
       проф иля N(x=const,y)/Nm;
   б) граф ик и н ормирован н ы х к он цен трацион н ы х проф илей по глубин е:
       N(x,y=0мк м)/Nm; N(x,y=a')/Nm; N(x,y=a'')/Nm; N(x, y = a ' '+ 2∆R⊥` )/Nm;
       N(x, y = − a' '+ 2∆R⊥` )/Nm; N(x, y = ± a )/Nm;
   в) лин ии равн ой к он цен трации Nm, 1017 см-3, 1016 см-3;
   г) зависимость xj1,2(y) глубин залеган ия сф ормирован н ы х p-n переходов.

                                      В опросы

1. К ак измен ится распределен ие(2.6) при учете э ф ф ек так ан алирован ия?
2. Записать распределен ие примеси при н ак лон н ой имплан тации через щ ель
   ш ирин ой 2а в защ итн ой маск е с учетом бок ового рассеян ия и э ф ф ек та
   к ан алирован ия, если проф иль по глубин е описы вается н еусечен н ой
   гауссиан ой.
3. В условиях вопроса 2 н айти ан алитическ ую зависимость глубин залеган ия
   xj1,2(у) сф ормирован н ы х p-n переходов.
4. Н арисовать и сравн ить два проф иля ион н о-имплан тирован н ы х примесей при
   н ак лон н ой имплан тации, если проф или вн едрен н ы х примесей имею т
   следую щ иепараметры : ∆Rp1>∆Rp2 и ∆Rp⊥1>∆Rp⊥2.

Страницы