Наклонная ионная имплантация. Бормонтов Е.Н - 27 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ВГУ | Воронеж

Составители: 

Рубрика: 

27
02
.
10
8
4
.
10
8
6
.
10
8
8
.
10
8
1
.
10
7
1.2
.
10
7
1.4
.
10
7
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
m
1
0
Nfxy1,()
Nm
Nfxy2x(),()
Nm
Nfxy3x(),()
Nm
1.510
7−
⋅
0 x
Рис. 12. Графики распределений нормированных концентрационных профилей по
глубине вблизи края защитной маски толщиной 1.5 мкм при наклонной
имплантации в щель шириной 5 мкм под углом 10º относительно
нормали ионов сурьмы с энергией 100 кэВ и дозой 10
14
см
-2
2. На кремниевой пластине марки КДБ7 во влажной атмосфере термически
наращивается слой окисла при температуре 900 °С в течение 50 минут , а затем
вытравливается щель шириной 4 мкм, в которую проводится наклонная
имплантация ионов мышьяка под углом 15° относительно нормали к
поверхности кремния. С учетом бокового рассеяния под края защитной маски
найти:
а) распределение нормированной концентрации мышьяка N(x=const,y)/Nm при
энергии ионов 90 кэВ и дозе имплантации 100 мкКл/см
2
;
б) графики нормированных концентрационных профилей по глубине:
N(x,y=0 мкм)/Nm; N(x,y=a')/Nm; N(x,y=a'')/Nm; N(x,
'
2''
⊥
∆+= Ray
)/Nm;
N(x,
`
2'
⊥
∆+= Ray
)/Nm; N(x,
''ay
±
=
)/Nm, если энергия ионов мышьяка была
100кэВ , а доза имплантации составила 200 мкКл/см
2
;
в) зависимость от энергии ионов мышьяка в диапазоне 50÷120 кэВ глубин
залегания примесного слоя с концентрацией 10
17
см
-3
на границе y=a, если доза
имплантации составила 200 мкКл/см
2
;
г) линии равной концентрации 10
16
см
-3
и 10
17
см
-3
внедренного мышьяка при
энергии 90 кэВ и дозе имплантации 100 мкКл/см
2
;
д) зависимость x
j1,2
(y) глубин залегания сформированных p-n переходов при
следующем режиме имплантации: Е =100 кэВ , Q=150 мкКл/см
2
. 
                                                                    27



                       1
                  1


                      0.8

   Nf( x , y1)
      Nm
                      0.6
   Nf( x , y2( x) )
        Nm

   Nf( x , y3( x) ) 0.4
        Nm

                      0.2



                  0    0
                                2 .10       4 .10       6 .10       8 .10       1 .10       1.2 .10       1.4 .10
                                        8           8           8           8           7             7             7
                            0
                            0                                           x                                                     −7
                                                                                                                    1.5 ⋅10
                                                                    m


Рис. 12. Граф ик и распределен ий н ормирован н ы х к он цен трацион н ы х проф илей по
     глубин е вблизи к рая защ итн ой маск и толщ ин ой 1.5 мк м при н ак лон н ой
         имплан тации в щ ель ш ирин ой 5 мк м под углом 10ºотн оситель н о
            н ормали ион ов сурь мы сэ н ергией 100 к э В и дозой 1014 см-2

2. Н а к ремн иевой пластин е марк и К Д Б7 во влаж н ой атмосф ере термическ и
   н аращ ивается слой ок ислапри температуре 900 °С в течен ие 50 мин ут, азатем
   вы травливается щ ель ш ирин ой 4 мк м, в к оторую проводится н ак лон н ая
   имплан тация ион ов мы ш ь як а под углом 15° отн оситель н о н ормали к
   поверхн ости к ремн ия. С учетом бок ового рассеян ия под к рая защ итн ой маск и
   н айти:
а) распределен ие н ормирован н ой к он цен трации мы ш ь як а N(x=const,y)/Nm при
   э н ергии ион ов 90 к э В и дозеимплан тации 100 мк К л/см2;
б) граф ик и н ормирован н ы х к он цен трацион н ы х проф илей по глубин е:
   N(x,y=0 мк м)/Nm; N(x,y=a')/Nm; N(x,y=a'')/Nm; N(x, y = a' '+ 2∆R⊥' )/Nm;
   N(x, y = a '+ 2∆R⊥` )/Nm; N(x, y = ± a' ' )/Nm, если э н ергия ион ов мы ш ь як а бы ла
   100к э В , адозаимплан тации составила200 мк К л/см2;
в) зависимость от э н ергии ион ов мы ш ь як а в диапазон е 50÷120 к э В глубин
   залеган ия примесн ого слоя ск он цен трацией 1017 см-3 н агран ице y=a, если доза
   имплан тации составила200 мк К л/см2;
г) лин ии равн ой к он цен трации 1016 см-3 и 1017 см-3 вн едрен н ого мы ш ь як а при
   э н ергии 90 к э В и дозе имплан тации 100 мк К л/см2;
д) зависимость xj1,2(y) глубин залеган ия сф ормирован н ы х p-n переходов при
   следую щ ем реж имеимплан тации: Е =100 к э В , Q=150 мк К л/см2.

Страницы