Статистика электронов и дырок в полупроводниках. Бормонтов Е.Н - 23 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ВГУ | Воронеж

Составители: 

Рубрика: 

23
Рис. 5. Зависимость концентрации электронов от температуры в
германии, содержащем доноры пятой группы (принято E
c
–E
d
= 0,01 эВ ),
частично компенсированные акцепторами третьей группы . Для всех
кривых N
d
– N
a
= 10
16
см
-3
. 1 – N
a
= 0; 2 – N
a
= 10
14
см
-3
; 3 – N
a
= 10
15
см
-3
;
4 – N
a
= 10
16
см
-3
; При расчетах положено m
n
= 0,25 m
o
.
Рис. 6. Зависимость уровня Ферми от температуры в германии с
частично компенсированными донорами пятой группы для тех же
образцов, что на рис. 5. 
                                     23




       Ри с. 5. Зави си мость концент раци и э лект ронов от температ уры в
германи и , содерж ащ ем доноры пятой группы (при нят о Ec –Ed = 0,01 э В ),
част и чно компенси рованны е акцепторами трет ьей группы . Д ля всех
кри вы х Nd – Na = 1016 см-3. 1 –Na = 0; 2 –Na = 1014 см-3; 3 –Na = 1015 см-3;
4 –Na = 1016 см-3; П ри расчет ах полож ено mn = 0,25 mo .




       Ри с. 6. Зави си мость уровня Ф ерми от т емперат уры в германи и с
част и чно компенси рованны ми донорами пятой группы для т ех ж е
образцов, что нари с. 5.

Страницы