ВУЗ:
Составители:
68
Так как коэффициент преломления полупроводникового материала
большой, то плоскости спайности лазерного кристалла (кристаллогра-
фические плоскости роста) служат отражательными зеркалами резона-
тора.
Слабый свет, возникающий в лазере под действием спонтанных
переходов, усиливается активной средой при многократном отражении
от резонаторных зеркал, расположенных на торцах кристалла. В итоге
образуется лавина вынужденно испущенных фотонов, которая и обра-
зует лазерный луч. Лазерная генерация возникает тогда, когда оптиче-
ское усиление компенсирует потери энергии внутри резонатора, скла-
дывающиеся из потерь в активной среде и потерь на отражение. Это
соответствует пороговому току I
пор
инжекции. При дальнейшем увели-
чении тока инжекции усиление равно пороговому усилению и сопрово-
ждается резким увеличением мощности оптического излучения лазера.
Иногда встречается путаница с терминами «лазерный диод», «ди-
одный лазер» и «лазер с диодной накачкой». Первое определение от-
носится непосредственно к самому излучателю, т.е. полупроводнико-
вому устройству, испускающему относительно монохроматическое
излучение. Термин «диодный лазер» подразумевает законченное уст-
ройство, состоящее из лазерного диода, устройства стабилизированно-
го электропитания (при необходимости с возможностью модуляции
выходного излучения по питанию), устройства контроля температуры,
а также оптической системы, преобразующей «некачественное» излу-
чение лазерного диода в относительно монохроматичное и коллими-
рованное. Лазером же с диодной накачкой называется твёрдотельный
лазер, в котором в качестве источника накачки рабочей среды (кри-
сталл Nd:YAG, Nd:YLF, Nd:YVO4 и т.д) используется набор лазерных
диодов инфракрасного диапазона.
Рис. 46. Полупроводниковый лазер в разрезе
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 66
- 67
- 68
- 69
- 70
- …
- следующая ›
- последняя »
