Материалы твёрдотельной микро- и наноэлектроники. Брусенцов Ю.А - 69 стр.

UptoLike

Составители:

Рубрика:

Рис. 47. Мощный полупроводниковый лазер и огибающие формируемых

им короткого и длинного импульсов лазерного излучения

Рис. 48. Лазер на гетеропереходах

Основное преимущество лазерных диодов перед лампами накачки –

значительно более узкая полоса излучения. Подобрав лазерный диод,

излучающий как можно ближе к полосе поглощения активного веще-

ства, удаётся сильно снизить побочный нагрев рабочей среды.

В настоящее время кроме лазеров на p–n-переходе широко исполь-

зуются лазеры на гетеропереходах (двойных гетероструктурах) [4].

Снижение порогового тока в гетеролазерах достигается за счёт

каналирования инжектированных носителей в узкой области, ограни-

ченной потенциальными баръерами гетероструктуры, а также за счёт

каналирования спонтанного излучения в этой же области под действи-

ем волноводного эффекта, возникающего из-за различия в показателях

преломления материалов гетероструктуры.