Материалы твёрдотельной микро- и наноэлектроники. Брусенцов Ю.А - 70 стр.

UptoLike

Составители:

Рубрика:

Рис. 49. Схема когерентного лазерного излучения

Если «+» напряжения питания приложен к p-области, а «–» – к

n-области, то в активный слой инжектируются и дырки и электроны,

где они рекомбинируют с излучением hv. Свет достигает плоскостей

резонатора и отражаясь от них, не выходит в другие слои структуры

из-за разницы показателей преломления. Когда сопутствующая этому

процессу добавка энергии становится выше потерь внутри структуры,

возникает когерентное лазерное излучение (рис. 49).

7.3. ПРИМЕНЕНИЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ЛАЗЕРОВ

Длина волны лазерного излучение определяется материалом ак-

тивного слоя. Например, если активный слой сделан из GaAs, то

λ = 0,86 мкм при комнатной температуре, если из Al

1–x

As, где x –

молярная концентрация Al в структуре, то λ = 0,6…0,9 мкм. Если ис-

пользовать InGa

1–x

1–y

, то λ = 0,5…1,6 мкм.