Материалы твёрдотельной микро- и наноэлектроники. Брусенцов Ю.А - 8 стр.

UptoLike

Составители:

Рубрика:

В результате изменения формы кривой Е(k) изменяется также

плотность состояний g(E), она приобретает вид нескольких изолиро-

ванных зон (рис. 2).

Изобразим положения зон плотности состояний для «+» и «–»-

спинов («+» и «–» – одинаковое количество) (рис. 3).

Приложим магнитное поле H в направлении «+»-спинов. В связи

с этим полем энергия электронов со спинами «–» по сравнению с энер-

гией электронов со спином «+» повысится на величину E

= 2µ

∗

(рис. 4).

Рис. 2. Плотность состояний g(E) (схема) для свободного

электрона (а) и электронов в кристалле (б)

Рис. 3. Положение зон для «+» и «–»-спинов

∗

Энергия электронов с «+»-спинами понизится на величину µ

H, а

энергия электронов c «–»-спинами повысится на µ

H по сравнению с

положением без поля H.