Материалы твёрдотельной микро- и наноэлектроники. Брусенцов Ю.А - 8 стр.

UptoLike

8
В результате изменения формы кривой Е(k) изменяется также
плотность состояний g(E), она приобретает вид нескольких изолиро-
ванных зон (рис. 2).
Изобразим положения зон плотности состояний для «+» и «–»-
спинов («+» и «–» – одинаковое количество) (рис. 3).
Приложим магнитное поле H в направлении «+»-спинов. В связи
с этим полем энергия электронов со спинами «–» по сравнению с энер-
гией электронов со спином «+» повысится на величину E
H
= 2µ
B
H
,
(рис. 4).
Рис. 2. Плотность состояний g(E) (схема) для свободного
электрона (а) и электронов в кристалле (б)
Рис. 3. Положение зон для «+» и «–»-спинов
Энергия электронов с «+»-спинами понизится на величину µ
B
H, а
энергия электронов c «–»-спинами повысится на µ
B
H по сравнению с
положением без поля H.